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AP09N70I-H-HF
16
10000
f=1.0MHz
I
D
=9A
V
GS
，门源电压（ V）
C
国际空间站
12
C（ pF）的
V
DS
=320V
V
DS
=400V
V
DS
=480V
8
C
OSS
100
4
C
RSS
0
0
20
40
60
1
1
5
9
13
17
21
25
29
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图7.栅极电荷特性
图8.典型的电容特性
100
1
归热响应（R
thJC
)
占空比系数= 0.5
在这一领域
限于由R
DS （ ON）
10
100us
1ms
0.2
I
D
(A)
0.1
1
10ms
100ms
0.1
0.05
P
DM
t
T
0.02
0.1
T
c
=25
o
C
单脉冲
0.01
1s
DC
0.01
占空比系数= T / T
PEAK牛逼
j
= P
DM
个R
thJC
+ T
C
单脉冲
0.01
1
10
100
1000
10000
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
T，脉冲宽度（S ）
图9.最高安全工作区
图10.有效的瞬态热阻抗
V
DS
90%
V
G
Q
G
10V
Q
GS
Q
GD
10%
V
GS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
收费
Q
图11.开关时间波形
图12.栅极电荷波形
4
