AP9916GH/J
无铅电镀产品
先进的电源
电子股份有限公司
▼
低导通电阻
▼
能够2.5V栅极驱动
▼
低驱动电流
▼
表面贴装封装
S
G
D
N沟道增强模式
功率MOSFET
BV
DSS
R
DS （ ON）
I
D
18V
25mΩ
35A
描述
来自APEC高级功率MOSFET提供
设计师与快速切换的最佳组合，
加固装置的设计，超低导通电阻和
成本效益。
G
D
S
TO-252
G
D
S
TO-251
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
C
=25℃
I
D
@T
C
=125℃
I
DM
P
D
@T
C
=25℃
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流， V
GS
@ 4.5V
连续漏电流， V
GS
@ 4.5V
漏电流脉冲
1
总功耗
线性降额因子
存储温度范围
工作结温范围
等级
18
±
8
35
16
90
50
0.4
-55到150
-55到150
单位
V
V
A
A
A
W
W/℃
℃
℃
热数据
符号
Rthj -C
Rthj -A
参数
热阻结案件
热阻结到环境
马克斯。
马克斯。
价值
2.5
110
单位
℃/W
℃/W
数据和规格如有变更，恕不另行通知
200723011
