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AP9916GH/J
无铅电镀产品
先进的电源
电子股份有限公司
▼
低导通电阻
▼
能够2.5V栅极驱动
▼
低驱动电流
▼
表面贴装封装
S
G
D
N沟道增强模式
功率MOSFET
BV
DSS
R
DS （ ON）
I
D
18V
25mΩ
35A
描述
来自APEC高级功率MOSFET提供
设计师与快速切换的最佳组合，
加固装置的设计，超低导通电阻和
成本效益。
G
D
S
TO-252
G
D
S
TO-251
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
C
=25℃
I
D
@T
C
=125℃
I
DM
P
D
@T
C
=25℃
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流， V
GS
@ 4.5V
连续漏电流， V
GS
@ 4.5V
漏电流脉冲
1
总功耗
线性降额因子
存储温度范围
工作结温范围
等级
18
±
8
35
16
90
50
0.4
-55到150
-55到150
单位
V
V
A
A
A
W
W/℃
℃
℃
热数据
符号
Rthj -C
Rthj -A
参数
热阻结案件
热阻结到环境
马克斯。
马克斯。
价值
2.5
110
单位
℃/W
℃/W
数据和规格如有变更，恕不另行通知
200723011
AP9916GH/J
电气特性@ T
j
=25
o
℃（除非另有规定）
符号
BV
DSS
ΔBV
DSS
/ΔT
j
参数
漏源击穿电压
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
=250uA
分钟。
18
-
-
-
0.5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
0.03
-
-
-
18
-
-
-
17.5
1.2
7.9
7.3
98
25.6
98
527
258
112
MAX 。单位
-
-
25
40
1
-
25
250
±100
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
V
V/℃
mΩ
mΩ
V
S
uA
uA
nA
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
击穿电压温度系数
参考25 ℃ ，我
D
=1mA
R
DS （ ON）
静态漏源导通电阻
V
GS
= 4.5V ，我
D
=6A
V
GS
= 2.5V ，我
D
=5.2A
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
栅极阈值电压
正向跨导
漏极 - 源极漏电流（T
j
=25
o
C)
漏极 - 源极漏电流（T
j
=125
o
C)
V
DS
=V
GS
, I
D
=250uA
V
DS
= 10V ，我
D
=6A
V
DS
=18V, V
GS
=0V
V
DS
=18V ,V
GS
=0V
V
GS
=
±
8V
I
D
=18A
V
DS
=18V
V
GS
=5V
V
DS
=10V
I
D
=18A
R
G
=3.3Ω,V
GS
=5V
R
D
=0.56Ω
V
GS
=0V
V
DS
=18V
f=1.0MHz
栅源漏
总栅极电荷
2
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
2
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
源极 - 漏极二极管
符号
I
S
I
SM
V
SD
参数
连续源电流（体二极管）
测试条件
V
D
=V
G
=0V , V
S
=1.3V
T
j
=25℃, I
S
= 35A ，V
GS
=0V
分钟。
-
-
-
典型值。
-
-
-
MAX 。单位
35
90
1.3
A
A
V
脉冲源电流（体二极管）
1
正向电压上
2
注意事项：
1.Pulse宽度有限的安全工作区。
2.Pulse宽度<300us ，占空比<2 ％ 。
AP9916GH/J
100
80
T
C
=25
o
C
80
V
G
=4.5V
T
C
=150
o
C
70
V
G
=4.5V
V
G
=3.5V
I
D
，漏电流（ A）
I
D
，漏电流（ A）
60
60
V
G
=3.5V
50
40
V
G
=2.5V
40
30
V
G
=2.5V
20
20
V
G
=1.5V
0
0
1
2
3
4
5
6
7
10
V
G
=1.5V
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图1.典型的输出特性
图2.典型的输出特性
30
1.8
I
D
= 6 A
28
I
D
=6A
1.6
T
C
=25
o
C
V
G
=4.5V
26
归一化
DS （ ON）
1.4
R
DSON
(m
Ω
)
1.2
24
1.0
22
0.8
20
0.6
18
1
2
3
4
5
6
-50
0
50
100
150
V
GS
(V)
T
j
，结温（
o
C)
V.S.结温
AP9916GH/J
40
60
35
50
30
I
D
，漏电流（ A）
40
25
20
P
D
(W)
25
50
75
100
125
150
30
15
20
10
10
5
0
0
0
50
100
150
T
c
，外壳温度（ C）
o
T
c
，外壳温度（
o
C)
图5.最大漏极电流V.S.
图6.典型功耗
外壳温度
1000
10
100
10us
归热响应（R
thJC
)
1
DUTY=0.5
I
D
(A)
10
100us
1ms
10ms
100ms
0.2
0.1
P
DM
0.1
0.05
0.02
0.01
单脉冲
t
T
占空比系数= T / T
PEAK牛逼
j
= P
DM
个R
thJC
+ T
C
1
D = 0.01牛逼
c
=25
o
C
0.01
0.1
0.1
1
10
100
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
T，脉冲宽度（S ）
V
DS
(V)
AP9916GH/J
16
1000
f=1.0MHz
14
I
D
=18A
西塞
V
DS
=10V
V
DS
=15V
科斯
V
GS
，门源电压（ V）
12
10
V
DS
=18V
C（ pF）的
100
8
CRSS
6
4
2
0
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
10
1
5
9
13
17
21
25
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
V
DS
(V)
图9.栅极电荷特性
图10.典型的电容特性
100
1.2
10
0.95
T
j
=150
o
C
T
j
=25
o
C
V
GS （ TH）
(V)
I
S
(A)
1
0.7
0.1
0.45
0.01
0
0.4
0.8
1.2
1.6
0.2
-50
0
50
100
150
V
SD
(V)
T
j
，结温（
o
C )
反向二极管
结温
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AM29BDD160GB20APBI
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