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恩智浦半导体
BUK9Y6R0-60E
N沟道60 V ，在LFPAK56 6.0 mΩ的逻辑电平MOSFET
180
I
D
(A)
120
003aaj192
V
GS （ TH）
(V)
2.5
最大
2
典型值
1.5
3
003aah025
60
T
j
= 175 °C
0
T
j
= 25 °C
1
0.5
0
-60
民
0
1
2
3
V
GS
(V)
4
0
60
120
T
j
(° C)
180
图。 8 。
传输特性;漏电流作为
栅极 - 源极电压的函数;典型值
图。 9 。
栅极 - 源极阈值电压的一个函数
结温
10
-1
I
D
(A)
10
-2
民
典型值
003aah026
20
R
DSON
(m Ω )
15
2.6
2.8
003aaj195
10
-3
最大
10
3
10
-4
5
4.5
V
GS
(V) = 10
0
10
-5
10
-6
0
1
2
V
GS
(V)
3
0
20
40
60
80
I
D
(A)
100
图。 10.亚阈值漏电流的函数
栅源电压
T
j
= 25°C ;吨
p
= 300 μs
图。 11.漏源通态电阻为一个函数
漏电流;典型值
BUK9Y6R0-60E
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二〇一三年二月二十零日
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