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恩智浦半导体
BUK9Y6R0-60E
N沟道60 V ，在LFPAK56 6.0 mΩ的逻辑电平MOSFET
符号
Q
GD
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
SD
t
rr
Q
r
100
I
D
(A)
75
参数
栅极 - 漏极电荷
输入电容
输出电容
反向传输
电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
条件
V
GS
= 0 V; V
DS
= 25 V ; F = 1兆赫;
T
j
= 25 °C;
图。 15
民
-
-
-
-
典型值
11.1
4739
391
202
24
44
60
37
最大
-
6319
469
277
-
-
-
-
单位
nC
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
DS
= 45 V ;
L
= 1.8 Ω; V
GS
= 5 V;
R
G（ EXT ）
= 5 Ω
-
-
-
-
源极 - 漏极二极管
源 - 漏电压
反向恢复时间
恢复电荷
I
S
= 25 A; V
GS
= 0 V ;牛逼
j
= 25 °C;
图。 16
I
S
= 20 A;的dI
S
/ DT = -100 A / μs的; V
GS
= 0 V;
V
DS
= 25 V
003aaj189
-
-
-
0.8
26
23
1.2
-
-
003aaj190
V
ns
nC
20
R
DSON
(mΩ )
10
4.5
3
2.8
15
50
2.6
25
2.4
0
V
GS
(V) = 2.2
0
0.5
1
V
DS
(V)
1.5
10
5
0
0
2.5
5
7.5
V
GS
(V)
10
T
j
= 25°C ;吨
p
= 300 μs
图。 6 。
输出特性;漏电流作为
漏极 - 源极电压的函数;典型值
图。 7 。
漏极 - 源极导通电阻为一个函数
的栅极 - 源极电压;典型值
BUK9Y6R0-60E
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二〇一三年二月二十零日
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