AOL1401
P沟道增强型场效应晶体管
概述
该AOL1401采用先进的沟槽技术
提供优良的RDS（ON ）和超低低栅
充电用25V的栅极评级。此装置适用于
用作负载开关或PWM应用。这是
ESD保护。
-RoHS标准
卤素和无锑的绿色设备*
超
SO-8
TM
顶视图
D
特点
V
DS
(V) = -38V
I
D
= -85A
R
DS （ ON）
< 8.5mΩ （V
GS
= -20V)
R
DS （ ON）
<为10mΩ （V
GS
= -10V)
ESD额定值： 3000V HBM
RG ，西塞，科斯，测试的Crss
D
底部标签
连接到
漏
G
S
S
G
绝对最大额定值牛逼
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
符号
V
DS
漏源电压
V
GS
栅源电压
连续漏极
当前
G
漏电流脉冲
连续漏极
当前
G
功耗
功耗
B
C
最大
-38
±25
-85
-62
-120
-12
-10
100
50
2.08
1.3
-55至175
单位
V
V
T
C
=25°C
T
C
=100°C
T
A
=25°C
T
A
=70°C
T
C
=25°C
T
C
=100°C
T
A
=25°C
A
I
D
I
DM
I
帝斯曼
P
D
P
帝斯曼
T
J
, T
英镑
A
W
W
°C
T
A
=70°C
结温和存储温度范围
热特性
参数
最大结点到环境
A
最大结点到环境
A
最大结到外壳
B
符号
t
≤
10s
稳态
稳态
R
θJA
R
θJC
典型值
21
48
1
最大
25
60
1.5
单位
° C / W
° C / W
° C / W
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
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