AOL1401
电气特性（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
符号
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
R
DS （ ON）
g
FS
V
SD
I
S
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
静态漏源导通电阻
V
GS
= -10V ，我
D
=-20A
V
DS
= -5V ，我
D
=-20A
正向跨导
二极管的正向电压
I
S
=-1A,V
GS
=0V
最大体二极管连续电流
条件
I
D
= -250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=-30V, V
GS
=0V
T
J
=55°C
V
DS
=0V, V
GS
=±20V
V
DS
=0V, V
GS
=±25V
V
DS
=V
GS
I
D
=-250A
V
GS
=-10V, V
DS
=-5V
V
GS
= -20V ，我
D
=-20A
T
J
=125°C
民
-38
-100
-500
±1
±10
-3.5
8.5
11
10
-1
14.5
4560
典型值
最大
单位
V
nA
A
A
V
A
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
-1.5
-120
-2.2
6.8
9.1
7.9
50
0.71
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
输出电容
C
RSS
反向传输电容
R
g
栅极电阻
切换参数
Q
g
（ 10V ）总栅极电荷（ 10V ）
Q
g
（ 4.5V ），总栅极电荷（ 4.5V ）
Q
gs
门源电荷
Q
gd
闸漏极电荷
t
D（上）
开启DelayTime
t
r
开启上升时间
t
D（关闭）
关断DelayTime
t
f
关断下降时间
t
rr
体二极管反向恢复时间
Q
rr
体二极管反向恢复电荷
V
GS
=0V, V
DS
= -20V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
3800
560
350
7.5
61.2
30.8
11.88
15.4
13.5
17
97
43
30
29
9
74
37
V
GS
=-10V, V
DS
= -20V ，我
D
=-20A
V
GS
=-10V, V
DS
= -20V ，R
L
=1,
R
根
=3
I
F
= -20A ，的di / dt = 100A / μs的
I
F
= -20A ，的di / dt = 100A / μs的
36
答： R的值
θJA
测量与安装在1英寸的设备
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。电源
耗散P
帝斯曼
是基于R
θJA
和150℃的最大允许结温。在任何给定应用程序中的值依赖于
用户的特定板的设计，和175℃的最高温度，可以使用如在PCB允许的话。
B.功耗P
D
是以T
J（下最大）
= 175℃ ，使用结到外壳的热阻，并且是在设定上耗散更多的有用
极限情况下，额外的散热使用。
C：重复评级，脉冲宽度有限的结温度T
J（下最大）
=175°C.
D.第r
θJA
是热阻抗从结到外壳的R总和
θJC
和外壳到环境。
在图E的静态特性16使用<300获得
s
脉冲占空比0.5 ％以下。
F.这些曲线是基于其测量安装到一个大的散热器的器件结到外壳的热阻抗，假设一个
的T最大结温
J（下最大）
=175°C.
G.最大电流等级债券的电线是有限的。
H.这些测试使用安装在1 2 FR-4板2盎司的装置进行。铜，在静止空气环境和T = 25 ℃。
A
冯0 ： 2005年9月
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
性能和可靠性，恕不另行通知
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AOL1401
典型的电气和热特性
10
V
DS
=-20V
I
D
=-20A
电容（pF）
5000
C
国际空间站
4000
8
-V
GS
（伏）
6
3000
4
2000
C
OSS
1000
C
RSS
2
0
0
10
30
40
50
60
-Q
g
（ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
20
70
0
0
15
20
25
-V
DS
（伏）
图8 ：电容特性
5
10
30
1000.0
T
J（下最大）
= 175 ° C，T
A
=25°C
100.0
-I
D
（安培）
10s
功率（W）的
R
DS （ ON）
有限
100s
1ms
10ms
1.0
DC
100m
1000
800
600
400
200
0
0.0001
T
J（下最大）
=175°C
T
A
=25°C
10.0
0.1
0.1
1
-V
DS
（伏）
图9 ：最大正向偏置安全
工作区（注F）
10
Z
θ
JC
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
C
+P
DM
.Z
θJC
.R
θJC
R
θJC
=1.5°C/W
1
10
100
0.001
0.01
0.1
1
10
脉冲宽度（S ）
图10 ：单脉冲功率额定值结点到
案例（注二）
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
0.1
P
D
T
on
单脉冲
T
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
脉冲宽度（S ）
图11 ：归最大瞬态热阻抗（注F）
4.9
6
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AOL1401
典型的电气和热特性
120
60
50
功耗（ W）
90
功率（W）的
40
30
T
A
=25°C
20
30
10
0
0
25
50
75
100
125
150
175
T
例
(°C)
图12 ：功率降容（注二）
0
0.01
60
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度（S ）
图13 ：单脉冲功率额定值结点到
环境（注高）
100
80
60
40
20
0
0
25
50
75
100
125
150
175
T
例
(°C)
图14 ：电流降评级（注二）
额定电流-I
D
(A)
100
Z
θ
JA
归一化瞬时
热阻
10
1
0.1
0.01
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=60°C/W
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
P
D
单脉冲
T
on
T
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度（S ）
图15 ：归最大瞬态热阻抗（注高）
4.9
6
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AOL1401
电气特性（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
符号
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
R
DS （ ON）
g
FS
V
SD
I
S
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
静态漏源导通电阻
V
GS
= -10V ，我
D
=-20A
V
DS
= -5V ，我
D
=-20A
正向跨导
二极管的正向电压
I
S
=-1A,V
GS
=0V
最大体二极管连续电流
条件
I
D
= -250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=-30V, V
GS
=0V
T
J
=55°C
V
DS
=0V, V
GS
=±20V
V
DS
=0V, V
GS
=±25V
V
DS
=V
GS
I
D
=-250A
V
GS
=-10V, V
DS
=-5V
V
GS
= -20V ，我
D
=-20A
T
J
=125°C
民
-38
-100
-500
±1
±10
-3.5
8.5
11
10
-1
14.5
4560
典型值
最大
单位
V
nA
A
A
V
A
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
-1.5
-120
-2.2
6.8
9.1
7.9
50
0.71
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
输出电容
C
RSS
反向传输电容
R
g
栅极电阻
切换参数
Q
g
（ 10V ）总栅极电荷（ 10V ）
Q
g
（ 4.5V ），总栅极电荷（ 4.5V ）
Q
gs
门源电荷
Q
gd
闸漏极电荷
t
D（上）
开启DelayTime
t
r
开启上升时间
t
D（关闭）
关断DelayTime
t
f
关断下降时间
t
rr
体二极管反向恢复时间
Q
rr
体二极管反向恢复电荷
V
GS
=0V, V
DS
= -20V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
3800
560
350
7.5
61.2
30.8
11.88
15.4
13.5
17
97
43
30
29
9
74
37
V
GS
=-10V, V
DS
= -20V ，我
D
=-20A
V
GS
=-10V, V
DS
= -20V ，R
L
=1,
R
根
=3
I
F
= -20A ，的di / dt = 100A / μs的
I
F
= -20A ，的di / dt = 100A / μs的
36
答： R的值
θJA
测量与安装在1英寸的设备
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。电源
耗散P
帝斯曼
是基于R
θJA
和150℃的最大允许结温。在任何给定应用程序中的值依赖于
用户的特定板的设计，和175℃的最高温度，可以使用如在PCB允许的话。
B.功耗P
D
是以T
J（下最大）
= 175℃ ，使用结到外壳的热阻，并且是在设定上耗散更多的有用
极限情况下，额外的散热使用。
C：重复评级，脉冲宽度有限的结温度T
J（下最大）
=175°C.
D.第r
θJA
是热阻抗从结到外壳的R总和
θJC
和外壳到环境。
在图E的静态特性16使用<300获得
s
脉冲占空比0.5 ％以下。
F.这些曲线是基于其测量安装到一个大的散热器的器件结到外壳的热阻抗，假设一个
的T最大结温
J（下最大）
=175°C.
G.最大电流等级债券的电线是有限的。
H.这些测试使用安装在1 2 FR-4板2盎司的装置进行。铜，在静止空气环境和T = 25 ℃。
A
冯0 ： 2005年9月
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
性能和可靠性，恕不另行通知
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AOL1401
典型的电气和热特性
10
V
DS
=-20V
I
D
=-20A
电容（pF）
5000
C
国际空间站
4000
8
-V
GS
（伏）
6
3000
4
2000
C
OSS
1000
C
RSS
2
0
0
10
30
40
50
60
-Q
g
（ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
20
70
0
0
15
20
25
-V
DS
（伏）
图8 ：电容特性
5
10
30
1000.0
T
J（下最大）
= 175 ° C，T
A
=25°C
100.0
-I
D
（安培）
10s
功率（W）的
R
DS （ ON）
有限
100s
1ms
10ms
1.0
DC
100m
1000
800
600
400
200
0
0.0001
T
J（下最大）
=175°C
T
A
=25°C
10.0
0.1
0.1
1
-V
DS
（伏）
图9 ：最大正向偏置安全
工作区（注F）
10
Z
θ
JC
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
C
+P
DM
.Z
θJC
.R
θJC
R
θJC
=1.5°C/W
1
10
100
0.001
0.01
0.1
1
10
脉冲宽度（S ）
图10 ：单脉冲功率额定值结点到
案例（注二）
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
0.1
P
D
T
on
单脉冲
T
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
脉冲宽度（S ）
图11 ：归最大瞬态热阻抗（注F）
4.9
6
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AOL1401
典型的电气和热特性
120
60
50
功耗（ W）
90
功率（W）的
40
30
T
A
=25°C
20
30
10
0
0
25
50
75
100
125
150
175
T
例
(°C)
图12 ：功率降容（注二）
0
0.01
60
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度（S ）
图13 ：单脉冲功率额定值结点到
环境（注高）
100
80
60
40
20
0
0
25
50
75
100
125
150
175
T
例
(°C)
图14 ：电流降评级（注二）
额定电流-I
D
(A)
100
Z
θ
JA
归一化瞬时
热阻
10
1
0.1
0.01
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=60°C/W
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
P
D
单脉冲
T
on
T
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度（S ）
图15 ：归最大瞬态热阻抗（注高）
4.9
6
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AOL1401
电气特性（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
符号
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
R
DS （ ON）
g
FS
V
SD
I
S
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
静态漏源导通电阻
V
GS
= -10V ，我
D
=-20A
正向跨导
V
DS
= -5V ，我
D
=-20A
二极管的正向电压
I
S
=-1A,V
GS
=0V
最大体二极管连续电流
条件
I
D
= -250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=-30V, V
GS
=0V
T
J
=55°C
V
DS
=0V, V
GS
=±20V
V
DS
=0V, V
GS
=±25V
V
DS
=V
GS
I
D
=-250A
V
GS
=-10V, V
DS
=-5V
V
GS
= -20V ，我
D
=-20A
T
J
=125°C
-1.5
-120
6.8
9.1
7.9
50
0.71
-1
14.5
3800
V
GS
=0V, V
DS
= -20V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
560
350
7.5
61.2
V
GS
=-10V, V
DS
= -20V ，我
D
=-20A
11.88
15.4
13.5
V
GS
=-10V, V
DS
= -20V ，R
L
=1,
R
根
=3
I
F
= -20A ，的di / dt = 100A / μs的
17
97
43
30
29
36
9
74
4560
8.5
11
10
-2.2
民
-38
-100
-500
±1
±10
-3.5
典型值
最大
单位
V
nA
A
A
V
A
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
切换参数
Q
g
（ 10V ）总栅极电荷（ 10V ）
Q
gs
门源电荷
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷我
F
= -20A ，的di / dt = 100A / μs的
答： R的值
θJA
测量与安装在1英寸的设备
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。该
功耗P
帝斯曼
是基于R
θJA
和150℃的最大允许结温。在任何给定应用程序中的值取决于
用户的具体的电路板设计，和175℃的最高温度，可以使用如在PCB允许的话。
B.功耗P
D
是以T
J（下最大）
= 175℃ ，使用结到外壳的热阻，并且是在设置上更加有用
散热限制的情况下额外的散热使用。
C：重复评级，脉冲宽度有限的结温度T
J（下最大）
=175°C.
D.第r
θJA
是热阻抗从结到外壳的R总和
θJC
和外壳到环境。
在图E的静态特性16使用<300获得
s
脉冲占空比0.5 ％以下。
F.这些曲线是基于其测量安装到一个大的散热器的器件结到外壳的热阻抗，假设
T的最高结温
J（下最大）
=175°C.
G.最大电流等级债券的电线是有限的。
H.这些测试使用安装在1设备中进行
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
=25°C.
*本装置是保证以后日期代码8P11绿色（ 6月1日
ST
2008)
第2版： 2008年12月
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
性能和可靠性，恕不另行通知
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
www.aosmd.com
AOL1401
典型的电气和热特性
10
V
DS
=-20V
I
D
=-20A
电容（pF）
5000
C
国际空间站
4000
8
-V
GS
（伏）
6
3000
4
2000
C
OSS
1000
C
RSS
2
0
0
10
30
40
50
60
-Q
g
（ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
20
70
0
0
15
20
25
-V
DS
（伏）
图8 ：电容特性
5
10
30
1000.0
T
J（下最大）
= 175 ° C，T
A
=25°C
100.0
-I
D
（安培）
10s
功率（W）的
R
DS （ ON）
有限
100s
1ms
10ms
1.0
DC
100m
1000
800
600
400
200
0
0.0001
T
J（下最大）
=175°C
T
A
=25°C
10.0
0.1
0.1
1
-V
DS
（伏）
图9 ：最大正向偏置安全
工作区（注F）
10
Z
θ
JC
归一化瞬时
热阻
10
100
0.001
0.01
0.1
1
10
脉冲宽度（S ）
图10 ：单脉冲功率额定值结点到
案例（注二）
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
C
+P
DM
.Z
θJC
.R
θJC
R
θJC
=1.5°C/W
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
1
0.1
单脉冲
0.01
0.00001
P
D
T
on
T
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
脉冲宽度（S ）
图11 ：归最大瞬态热阻抗（注F）
4.9
6
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AOL1401
典型的电气和热特性
120
60
50
功耗（ W）
90
40
功率（W）的
60
30
20
10
0
0
25
50
75
100
125
150
175
T
例
(°C)
图12 ：功率降容（注二）
0
0.01
T
A
=25°C
30
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度（S ）
图13 ：单脉冲功率额定值结点到
环境（注高）
100
80
60
40
20
0
0
25
50
75
100
125
150
175
T
例
(°C)
图14 ：电流降评级（注二）
额定电流-I
D
(A)
100
Z
θ
JA
归一化瞬时
热阻
10
1
0.1
0.01
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=60°C/W
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
P
D
单脉冲
T
on
T
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度（S ）
图15 ：归最大瞬态热阻抗（注高）
4.9
6
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AOL1401
P沟道增强型场
场效应晶体管
概述
该AOL1401采用先进的沟槽技术，提供优良的RDS（ON ）和超低低门
充电用25V的栅极评级。这个装置是适合于用作负载开关或PWM应用。这是
ESD保护。
特点
V
DS
(V) = -38V
I
D
= -85A
R
DS （ ON）
< 8.5mΩ （V
GS
= -20V)
R
DS （ ON）
<为10mΩ （V
GS
= -10V)
超
SO-8
TM
顶视图
D
D
底部标签
连接到
漏
G
S
S
G
绝对最大额定值牛逼
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
符号
V
DS
漏源电压
V
GS
栅源电压
连续漏极
当前
G
漏电流脉冲
连续漏极
当前
G
功耗
功耗
B
C
最大
-38
±25
-85
-62
-120
-12
-10
100
50
2.08
1.3
-55至175
单位
V
V
T
C
=25°C
T
C
=100°C
T
A
=25°C
T
A
=70°C
T
C
=25°C
T
C
=100°C
T
A
=25°C
A
I
D
I
DM
I
帝斯曼
P
D
P
帝斯曼
T
J
, T
英镑
A
W
W
°C
T
A
=70°C
结温和存储温度范围
热特性
参数
最大结点到环境
A
最大结点到环境
A
最大结到外壳
B
符号
t
≤
10s
稳态
稳态
R
θJA
R
θJC
典型值
21
48
1
最大
25
60
1.5
单位
° C / W
° C / W
° C / W
1/6
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AOL1401
P沟道增强型场
场效应晶体管
电气特性（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
符号
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
R
DS （ ON）
g
FS
V
SD
I
S
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
静态漏源导通电阻
V
GS
= -10V ，我
D
=-20A
正向跨导
V
DS
= -5V ，我
D
=-20A
I
S
=-1A,V
GS
=0V
二极管的正向电压
最大体二极管连续电流
条件
I
D
= -250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=-30V, V
GS
=0V
T
J
=55°C
V
DS
=0V, V
GS
=±20V
V
DS
=0V, V
GS
=±25V
V
DS
=V
GS
I
D
=-250A
V
GS
=-10V, V
DS
=-5V
V
GS
= -20V ，我
D
=-20A
T
J
=125°C
-1.5
-120
6.8
9.1
7.9
50
0.71
-1
14.5
3800
V
GS
=0V, V
DS
= -20V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
560
350
7.5
61.2
V
GS
=-10V, V
DS
= -20V ，我
D
=-20A
11.88
15.4
13.5
V
GS
=-10V, V
DS
= -20V ，R
L
=1,
R
根
=3
I
F
= -20A ，的di / dt = 100A / μs的
17
97
43
30
29
36
9
74
4560
8.5
11
10
-2.2
民
-38
-100
-500
±1
±10
-3.5
典型值
最大
单位
V
nA
A
A
V
A
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
切换参数
Q
g
（ 10V ）总栅极电荷（ 10V ）
Q
gs
门源电荷
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷我
F
= -20A ，的di / dt = 100A / μs的
答： R的值
θJA
测量与安装在1英寸的设备
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。该
功耗P
帝斯曼
是基于R
θJA
和150℃的最大允许结温。在任何给定应用程序中的值取决于
用户的具体的电路板设计，和175℃的最高温度，可以使用如在PCB允许的话。
B.功耗P
D
是以T
J（下最大）
= 175℃ ，使用结到外壳的热阻，并且是在设置上更加有用
散热限制的情况下额外的散热使用。
C：重复评级，脉冲宽度有限的结温度T
J（下最大）
=175°C.
D.第r
θJA
是热阻抗从结到外壳的R总和
θJC
和外壳到环境。
在图E的静态特性16使用<300获得
s
脉冲占空比0.5 ％以下。
F.这些曲线是基于其测量安装到一个大的散热器的器件结到外壳的热阻抗，假设
T的最高结温
J（下最大）
=175°C.
G.最大电流等级债券的电线是有限的。
H.这些测试使用安装在1设备中进行
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
=25°C.
*本装置是保证以后日期代码8P11绿色（ 6月1日
ST
2008)
第2版： 2008年12月
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典型的电气和热特性
10
V
DS
=-20V
I
D
=-20A
电容（pF）
5000
C
国际空间站
4000
8
-V
GS
（伏）
6
3000
4
2000
C
OSS
1000
C
RSS
2
0
0
10
30
40
50
60
-Q
g
（ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
20
70
0
0
15
20
25
-V
DS
（伏）
图8 ：电容特性
5
10
30
1000.0
T
J（下最大）
= 175 ° C，T
A
=25°C
100.0
-I
D
（安培）
10s
功率（W）的
R
DS （ ON）
有限
100s
1ms
10ms
1.0
DC
100m
1000
800
600
400
200
0
0.0001
T
J（下最大）
=175°C
T
A
=25°C
10.0
0.1
0.1
1
-V
DS
（伏）
图9 ：最大正向偏置安全
工作区（注F）
10
Z
θ
JC
归一化瞬时
热阻
10
100
0.001
0.01
0.1
1
10
脉冲宽度（S ）
图10 ：单脉冲功率额定值结点到
案例（注二）
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
C
+P
DM
.Z
θJC
.R
θJC
R
θJC
=1.5°C/W
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
1
0.1
单脉冲
0.01
0.00001
P
D
T
on
T
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
脉冲宽度（S ）
图11 ：归最大瞬态热阻抗（注F）
4.9
6
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场效应晶体管
典型的电气和热特性
120
60
50
功耗（ W）
90
40
功率（W）的
60
30
20
10
0
0
25
50
75
100
125
150
175
T
例
(°C)
图12 ：功率降容（注二）
0
0.01
T
A
=25°C
30
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度（S ）
图13 ：单脉冲功率额定值结点到
环境（注高）
100
80
60
40
20
0
0
25
50
75
100
125
150
175
T
例
(°C)
图14 ：电流降评级（注二）
额定电流-I
D
(A)
100
Z
θ
JA
归一化瞬时
热阻
10
1
0.1
0.01
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=60°C/W
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
P
D
单脉冲
T
on
T
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度（S ）
图15 ：归最大瞬态热阻抗（注高）
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