添加收藏夹  设为首页  深圳服务热线:13751165337  13692101218
51电子网联系电话:13751165337
位置:首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第395页 > A4989SLDTR-T > A4989SLDTR-T PDF资料 > A4989SLDTR-T PDF资料1第15页
A4989
双路全桥式MOSFET驱动器
与微转换器
应用信息
电流检测
在感测的I最小化的不准确
PEAK
当前
引起的地面跟踪IR压降,感测电阻电平,
RSENSEx ,应该有独立的返回到供给
地面星形点。对于低价值感电阻器,红外线下降
在检测电阻PCB走线可显著,并应
加以考虑。应避免使用插座
因为它们可以引入变异R中
SENSEX
由于它们的CON-
圆通阻力。
3. GND引脚应该由一个独立的低接
阻抗跟踪以在单个点处共同供给。
4.检查瞬态峰值电压偏移的
在LSS引脚参考GND引脚使用接近
接地(尖与机筒)的探针。如果在LSS的电压
超过此数据表中规定的绝对最大,
添加额外的夹持,电容,或两者之间的
LSS引脚和AGND引脚。
其他布局的建议:
1.栅极电荷驱动器路径和栅极放电回路
可携带的瞬态电流脉冲。因此,从痕迹
GHxx , GLxx , SXX和LSSx应尽可能短,以
减小电路迹线的电感。
2.提供每个LSS引脚的独立连接
每个功率桥的公共点。它不推荐
谁料想直接连接LSS到GND引脚。该LSS
连接不应被用于SENSE连接。
3.通过使用短的,宽的铜最小的杂散电感
运行在所有功率场效应管的漏极和源极端子。
这包括电动机引线连接,所述输入电源总线,
和低侧功率FET的共同来源。这
将最大限度地减少诱发大量快速切换电压
负载电流。
4.考虑使用小型( 100 NF)陶瓷去耦
横跨功率FET的源极和漏极连接到电容器
限制所造成的引线电感的快速瞬态电压尖峰。
以上只是建议。每个应用程序
不同,并且可能会遇到不同的灵敏度。每
设计应在最大电流进行测试,以确保
任何寄生效应被消除了。
热保护
所有的驱动程序都关闭时,结温
达到165 ° C典型值。这是仅用于保护
A4989从因结温过高故障。
热保护不保护continu-的A4989
OU的短路。热关断有一个滞后
约15 ℃。
电路布局
因为这是一个开关模式的应用程序,其中,快速电流
租金的变化存在,必须注意的布局过程中要采取
应用PCB 。以下点被设置为
指导布局。以下所有指导方针不会永远
是可能的。然而,每个点应仔细consid-
ERED任何布局过程的一部分。
接地布局的建议:
1,去耦电容的电源引脚VBB , VREG ,
和VDD应连接独立接近
GND引脚,而不是任何接地平面。去耦
电容器也应该连接在尽可能靠近,以
相应的电源引脚。
2.振荡器定时电阻ROSC应连接
到GND引脚。它不应该被连接到任何地
面,供给共用,或将电源接地。
Allegro MicroSystems公司
115东北托夫
马萨诸塞州伍斯特01615-0036 U.S.A.
1.508.853.5000 ; www.allegromicro.com
15

深圳市碧威特网络技术有限公司