SKW07N120
2.5mJ
5mJ
*)
E
on
和
E
ts
包括损失
由于二极管恢复。
E
ts
*
2.0mJ
*)
E
on
和
E
ts
包括损失
由于二极管恢复。
E
ts
*
E,
开关损耗
4mJ
E
on
*
E,
开关损耗
1.5mJ
E
on
*
1.0mJ
E
关闭
3mJ
2mJ
E
关闭
1mJ
0.5mJ
0mJ
0A
5A
10A
15A
20A
0.0mJ
0
20
40
60
80
100
I
C
,
集电极电流
图13.典型的开关损耗
AS集电极电流的函数
（感性负载，
T
j
= 150°C,
V
CE
= 800V,
V
GE
= +15V/0V,
R
G
= 4 7
,
在图E动态测试电路）
R
G
,
栅极电阻
图14.典型的开关损耗
作为栅极电阻的函数
（感性负载，
T
j
= 150°C,
V
CE
= 800V,
V
GE
= +15V/0V,
I
C
= 8A,
在图E动态测试电路）
2.0mJ
*)
E
on
和
E
ts
包括损失
由于二极管恢复。
E
ts
*
10 K / W
0
1.5mJ
Z
thJC
,
瞬态热阻抗
D=0.5
0.2
-1
E,
开关损耗
0.1
0.05
0.02
R
， （K / W）的
0.1020
0.40493
0.26391
0.22904
R
1
10 K / W
E
on
*
1.0mJ
E
关闭
0.5mJ
10 K / W
-2
0.01
τ
,
(s)
0.77957
0.21098
0.01247
0.00092
R
2
0.0mJ
-50°C
单脉冲
0°C
50°C
100°C
150°C
10 K / W
1s
-3
C
1
=
τ
1
/
R
1
C
2
=
τ
2
/R
2
10s
100s
1ms
10毫秒100毫秒
1s
T
j
,
结温
图15.典型的开关损耗
作为结温的函数
（感性负载，
V
CE
= 800V,
V
GE
= +15V/0V,
I
C
= 8A,
R
G
= 4 7,
在图E动态测试电路）
t
p
,
脉冲宽度
图16. IGBT瞬态热
阻抗作为脉冲宽度的函数
(D =
t
p
/
T)
功率半导体
7
Jul-02
