SKW07N120
在NPT技术的快速IGBT具有柔软，快速恢复反并联二极管EMCON
低
E
关闭
相比上一代
短路承受时间 - 10
s
设计用于：
- 电机控制
- 逆变器
- SMPS
NPT -科技提供：
- 参数分布非常紧凑
- 高耐用性，温度稳定的行为
- 并行交换能力
根据JEDEC合格
1
为目标的应用
无铅镀铅;符合RoHS标准
完整的产品范围和PSpice的模型：
http://www.infineon.com/igbt/
TYPE
SKW07N120
最大额定值
参数
集电极 - 发射极电压
DC集电极电流
T
C
= 25°C
T
C
= 100°C
集电极电流脉冲，
t
p
受
T
JMAX
关闭安全工作区
V
CE
≤
1200V,
T
j
≤
150°C
二极管的正向电流
T
C
= 25°C
T
C
= 100°C
二极管脉冲电流，
t
p
受
T
JMAX
栅极 - 发射极电压
短路承受时间
2
V
GE
= 15V, 100V
≤
V
CC
≤
1200V,
T
j
≤
150°C
功耗
T
C
= 25°C
工作结温和存储温度
焊接温度，
从案例波峰焊接， 1.6毫米（ 0.063英寸） 10秒
T
j
,
T
英镑
T
s
-55...+150
260
°C
P
合计
125
W
I
Fpuls
V
GE
t
SC
I
F
13
7
27
±20
10
V
s
I
Cpuls
-
符号
V
CE
I
C
16.5
7.9
27
27
价值
1200
单位
V
A
V
CE
1200V
I
C
8A
E
关闭
0.7mJ
T
j
150°C
记号
K07N120
包
PG-TO-247-3
C
G
E
PG-TO-247-3
1
2
J- STD- 020和JESD -022
允许短路号： <1000 ;短路的时间： >1s 。
1
牧师2_2
九月08
功率半导体
SKW07N120
热阻
参数
特征
IGBT的热电阻，
结 - 案
二极管热阻
结 - 案
热阻，
结 - 环境
电气特性，
at
T
j
= 25
°C,
除非另有说明
参数
静态特性
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
V
（ B R ）C （E S）
V
摹ê
=0 V,
I
C
=500
A
V
CE （ SAT ）
V
摹ê
= 15 V,
I
C
= 8 A
T
j
= 25°C
T
j
= 150
°C
二极管的正向电压
V
F
V
摹ê
=0 V,
I
F
= 7 A
T
j
= 25°C
T
j
= 150
°C
栅极 - 发射极阈值电压
零栅极电压集电极电流
V
GE （日）
I
CES
I
C
=350
μA ，V
权证
=V
摹ê
V
权证
=1200V,V
摹ê
=0V
T
j
= 25°C
T
j
= 150
°C
栅极 - 发射极漏电流
跨
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电荷
内置发射器电感
（ 0.197英寸）的情况下测得的5毫米
短路集电极电流
1)
I
C（ SC ）
V
摹ê
=15V,t
S·C
≤1
0
s
1 00 V≤
V
C C
≤1
200 V,
T
j
≤
150
°C
-
75
-
A
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
门
L
E
V
权证
=25V,
V
摹ê
=0 V,
f=1MHz
V
C C
= 96 0 V,
I
C
= 8 A
V
摹ê
=15V
-
13
-
nH
-
-
-
-
720
90
40
70
870
110
50
90
nC
pF
I
GES
g
fs
V
权证
=0V,V
摹ê
=20V
V
权证
=20V,
I
C
= 8 A
-
-
-
-
-
-
6
100
400
100
-
nA
S
-
3
2.0
1.75
4
5
A
2.4
2.5
-
3.1
3.7
3.6
4.3
1200
-
-
V
符号
条件
价值
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
R
thJA
40
R
thJCD
2.5
R
thJC
1
K / W
符号
条件
马克斯。值
单位
1)
允许短路号： <1000 ;短路的时间： >1s 。
2
牧师2_2
九月08
功率半导体
SKW07N120
在NPT技术的快速IGBT具有柔软，快速恢复反并联二极管EMCON
40lower
E
关闭
相比上一代
短路承受时间 - 10
s
设计用于：
- 电机控制
- 逆变器
- SMPS
NPT -科技提供：
- 参数分布非常紧凑
- 高耐用性，温度稳定的行为
- 并行交换能力
C
G
E
P-TO-247-3-1
(TO-247AC)
完整的产品范围和PSpice的模型：
http://www.infineon.com/igbt/
TYPE
SKW07N120
最大额定值
参数
集电极 - 发射极电压
DC集电极电流
T
C
= 25°C
T
C
= 100°C
集电极电流脉冲，
t
p
受
T
JMAX
关闭安全工作区
V
CE
≤
1200V,
T
j
≤
150°C
二极管的正向电流
T
C
= 25°C
T
C
= 100°C
二极管脉冲电流，
t
p
受
T
JMAX
栅极 - 发射极电压
短路承受时间
功耗
T
C
= 25°C
工作结温和存储温度
焊接温度， 1.6毫米（ 0.063英寸）从案例10秒
T
j
,
T
英镑
-
-55...+150
260
°C
1)
V
CE
1200V
I
C
8A
E
关闭
0.7mJ
T
j
150°C
包
TO-247AC
订购代码
Q67040-S4280
符号
V
CE
I
C
价值
1200
16.5
7.9
单位
V
A
I
Cpul s
-
I
F
27
27
13
7
I
FPUL s
V
GE
t
SC
P
合计
27
±20
10
125
V
s
W
V
GE
= 15V, 100V
≤
V
CC
≤
1200V,
T
j
≤
150°C
1)
允许短路号： <1000 ;短路的时间： >1s 。
1
Jul-02
功率半导体
SKW07N120
热阻
参数
特征
IGBT的热电阻，
结 - 案
二极管热阻
结 - 案
热阻，
结 - 环境
电气特性，
at
T
j
= 25
°C,
除非另有说明
参数
静态特性
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
V
（ B R ）C （E S）
V
摹ê
= 0V ,
I
C
= 5 00
A
V
CE （ SAT ）
V
摹ê
= 15 V ,
I
C
= 8 A
T
j
=2 5
°C
T
j
=1 5 0° C
二极管的正向电压
V
F
V
摹ê
= 0V ,
I
F
= 7 A
T
j
=2 5
°C
T
j
=1 5 0° C
栅极 - 发射极阈值电压
零栅极电压集电极电流
V
GE （日）
I
CES
I
C
= 35 0
A
,
V
权证
=
V
摹ê
V
权证
=1200V,V
摹ê
=0V
T
j
=2 5
°C
T
j
=1 5 0° C
栅极 - 发射极漏电流
跨
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电荷
内置发射器电感
（ 0.197英寸）的情况下测得的5毫米
短路集电极电流
1)
符号
条件
马克斯。值
单位
R
thJC
R
thJCD
R
thJA
TO-247AC
1
2.5
40
K / W
符号
条件
价值
分钟。
1200
2.5
-
典型值。
-
3.1
3.7
2.0
-
3
-
-
-
1.75
4
-
-
-
6
-
-
-
-
-
-
720
90
40
70
13
75
5
马克斯。
-
3.6
4.3
2.4
单位
V
A
100
400
100
-
870
110
50
90
-
-
nC
nH
A
nA
S
pF
I
GES
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
门
L
E
I
C（ SC ）
V
权证
=0V,V
摹ê
=20V
V
权证
= 20 V ,
I
C
= 8 A
V
权证
= 25 V ,
V
摹ê
= 0V ,
f=
1 MH
V
C C
= 96 0 V,
I
C
=8 A
V
摹ê
= 15 V
T O服务 - 24 7A
V
摹ê
= 15 V ，T
S·C
≤
10
s
10 0 V≤
V
C C
≤
12 0 0 V,
T
j
≤
15 0° C
1)
允许短路号： <1000 ;短路的时间： >1s 。
2
Jul-02
功率半导体
SKW07N120
在NPT技术的快速IGBT具有柔软，快速恢复反并联二极管EMCON
40lower
E
关闭
相比上一代
短路承受时间 - 10
s
设计用于：
- 电机控制
- 逆变器
- SMPS
NPT -科技提供：
- 参数分布非常紧凑
- 高耐用性，温度稳定的行为
- 并行交换能力
C
G
E
P-TO-247-3-1
(TO-247AC)
完整的产品范围和PSpice的模型：
http://www.infineon.com/igbt/
TYPE
SKW07N120
最大额定值
参数
集电极 - 发射极电压
DC集电极电流
T
C
= 25°C
T
C
= 100°C
集电极电流脉冲，
t
p
受
T
JMAX
关闭安全工作区
V
CE
≤
1200V,
T
j
≤
150°C
二极管的正向电流
T
C
= 25°C
T
C
= 100°C
二极管脉冲电流，
t
p
受
T
JMAX
栅极 - 发射极电压
短路承受时间
功耗
T
C
= 25°C
工作结温和存储温度
焊接温度， 1.6毫米（ 0.063英寸）从案例10秒
T
j
,
T
英镑
-
-55...+150
260
°C
1)
V
CE
1200V
I
C
8A
E
关闭
0.7mJ
T
j
150°C
包
TO-247AC
订购代码
Q67040-S4280
符号
V
CE
I
C
价值
1200
16.5
7.9
单位
V
A
I
Cpul s
-
I
F
27
27
13
7
I
FPUL s
V
GE
t
SC
P
合计
27
±20
10
125
V
s
W
V
GE
= 15V, 100V
≤
V
CC
≤
1200V,
T
j
≤
150°C
1)
允许短路号： <1000 ;短路的时间： >1s 。
1
Jul-02
功率半导体
SKW07N120
热阻
参数
特征
IGBT的热电阻，
结 - 案
二极管热阻
结 - 案
热阻，
结 - 环境
电气特性，
at
T
j
= 25
°C,
除非另有说明
参数
静态特性
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
V
（ B R ）C （E S）
V
摹ê
= 0V ,
I
C
= 5 00
A
V
CE （ SAT ）
V
摹ê
= 15 V ,
I
C
= 8 A
T
j
=2 5
°C
T
j
=1 5 0° C
二极管的正向电压
V
F
V
摹ê
= 0V ,
I
F
= 7 A
T
j
=2 5
°C
T
j
=1 5 0° C
栅极 - 发射极阈值电压
零栅极电压集电极电流
V
GE （日）
I
CES
I
C
= 35 0
A
,
V
权证
=
V
摹ê
V
权证
=1200V,V
摹ê
=0V
T
j
=2 5
°C
T
j
=1 5 0° C
栅极 - 发射极漏电流
跨
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电荷
内置发射器电感
（ 0.197英寸）的情况下测得的5毫米
短路集电极电流
1)
符号
条件
马克斯。值
单位
R
thJC
R
thJCD
R
thJA
TO-247AC
1
2.5
40
K / W
符号
条件
价值
分钟。
1200
2.5
-
典型值。
-
3.1
3.7
2.0
-
3
-
-
-
1.75
4
-
-
-
6
-
-
-
-
-
-
720
90
40
70
13
75
5
马克斯。
-
3.6
4.3
2.4
单位
V
A
100
400
100
-
870
110
50
90
-
-
nC
nH
A
nA
S
pF
I
GES
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
门
L
E
I
C（ SC ）
V
权证
=0V,V
摹ê
=20V
V
权证
= 20 V ,
I
C
= 8 A
V
权证
= 25 V ,
V
摹ê
= 0V ,
f=
1 MH
V
C C
= 96 0 V,
I
C
=8 A
V
摹ê
= 15 V
T O服务 - 24 7A
V
摹ê
= 15 V ，T
S·C
≤
10
s
10 0 V≤
V
C C
≤
12 0 0 V,
T
j
≤
15 0° C
1)
允许短路号： <1000 ;短路的时间： >1s 。
2
Jul-02
功率半导体
QQ：2880707522 复制
