BSS138W - N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管
典型性能特性
（续）
图7.栅极电荷特性。
10
100
图8.电容特性。
8
C
国际空间站
C
OSS ，
C
RSS
。电容（pF）
I
D
= 220毫安
V
GS
。栅源电压（ V）
F = 1MHz的
V
GS
= 0V
80
V
DS
= 8V
6
60
V
DS
= 25V
4
C
国际空间站
40
V
DS
= 30V
C
OSS
20
2
C
RSS
0
0.0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
10
20
30
40
50
QG 。栅极电荷（ NC）
V
DS
。偏置电压（V ）
图9.最高安全工作区。
10
1
图10.单脉冲最大
功耗。
5
单脉冲
o
Rthja = 367 C / W
T
A
=25
P（ PK） ，峰值瞬态功率（ W）
2
10
0
4
I
D
，漏电流[ A]
100
μ
s
1ms
10ms
3
10
-1
100ms
1s
R
DS （ ON）
极限
DC
2
10
-2
V
GS
=10V
单脉冲
o
Rthja = 367 C / W
o
T
a
= 25 C
1
10
-3
10
-1
10
0
10
1
10
0
1E-3
0.01
0.1
1
10
100
V
DS
，漏源电压[V]
t1时，时间（秒）
图11.瞬态热响应曲线。
R（T ） ，归一化瞬态热阻
1
50%
30%
0.1
Rthja （吨） = R（T） * Rthja
o
Rthja = 367 C / W
10%
5%
2%
D=1%
单脉冲
0.01
1E-4
1E-3
0.01
0.1
1
10
100
1000
t1时，时间（秒）
2010仙童半导体公司
BSS138W A0牧师
4
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