BSS138W - N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管
电气特性
符号
开关特性
BV
DSS
ΔBV
DSS
ΔT
J
I
DSS
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
测试条件
分钟。
50
典型值。
马克斯。
单位
V
漏源击穿电压V
GS
= 0V时，我
D
= 250μA
击穿电压温度我
D
= 250μA ，引用至25℃
系数
零栅极电压漏极电流
V
DS
= 50V, V
GS
= 0V
V
DS
= 50V, V
GS
= 0V ，T
J
= 125°C
V
DS
= 30V, V
GS
= 0V
V
GS
= ±20V, V
DS
= 0V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 1毫安
I
D
= 1mA时，引用到25℃
V
GS
= 10V ，我
D
= 0.22A
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 0.22A
V
GS
= 10V ，我
D
= 0.22A ，T
J
=125°C
V
GS
= 10V, V
DS
= 5V
V
DS
= 10V ，我
D
= 0.22A
71
0.5
5
100
±100
0.8
1.3
-3.9
1.17
1.36
2.16
0.2
0.12
38
3.5
6.0
5.8
1.5
毫伏/°C的
μA
μA
nA
nA
V
毫伏/°C的
Ω
Ω
Ω
A
S
pF
pF
pF
Ω
5
18
36
14
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
0.22
1.4
A
V
I
GSS
V
GS （ TH）
ΔV
GS （ TH）
ΔT
J
R
DS （ ON）
门体漏
(Note2)
栅极阈值电压
栅极阈值电压
温度COEF网络cient
静态漏源
导通电阻
通态漏电流
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
总闸变化
门源变化
栅极 - 漏极变化
基本特征
I
D（上）
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
G
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
I
S
V
SD
动态特性
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V ， F = 1.0MHz的
V
GS
= 15mV的， F = 1.0MHz的
5.9
3.5
11
2.3
V
DD
= 30V ，我
D
= 0.29A,
V
GS
= 10V ，R
根
= 6Ω
1.9
6.7
6.5
1.1
V
DS
= 25V ，我
D
= 0.22A,
V
GS
= 10V
0.12
0.22
开关特性
(Note2)
漏源二极管的特性和最大额定值
最大连续漏源二极管的正向电流
漏源二极管正向
电压
V
GS
= 0V时，我
S
= 0.44A
(Note2)
注意事项：
1.
安装在最小焊盘时， 367 ° C / W 。
2.
脉冲测试：脉冲宽度
≤
300μS ，占空比
≤
2.0%
2010仙童半导体公司
BSS138W A0牧师
2
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