N沟道增强型网络场效晶体管
特点
TYPE
CEP10N6
CEB10N6
CEF10N6
V
DSS
600V
600V
600V
R
DS （ ON）
0.75
0.75
0.75
I
D
10A
10A
10A
d
CEP10N6/CEB10N6
CEF10N6
@V
GS
10V
10V
10V
D
超级高密度电池设计极低R
DS （ ON）
.
高功率和电流移交能力。
被收购无铅产品。
D
G
G
D
S
G
CEP系列
TO-220
S
CEB系列
TO-263(DD-PAK)
G
D
S
CEF系列
TO-220F
S
绝对最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流连续@ T
C
= 25 C
@ T
C
= 100 C
漏电流脉冲
a
TC = 25℃ ，除非另有说明
极限
符号
TO-220/263
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
P
D
E
AS
I
AS
T
J
,T
英镑
e
TO-220F
单位
V
V
600
±
30
10
6
40
166
1.3
187.5
5
-55至175
10
d
A
A
d
6
d
40
50
0.4
A
W
W / C
mJ
A
C
最大功率耗散@ T
C
= 25 C
- 减免上述25℃
单脉冲雪崩能量
h
单脉冲雪崩电流
h
操作和存储温度范围
热特性
参数
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
符号
R
θJC
R
θJA
0.75
62.5
极限
2.5
65
单位
C / W
C / W
详细信息如有变更，恕不另行通知。
1
冯2. 2011.Feb
http://www.cetsemi.com
