【CEF10N6初步N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管特点6600V ， 5.7A ，RDS （ ON】,IC型号CEF10N6,CEF10N6 PDF资料,CEF10N6经销商,ic,电子元器件-51电子网

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CEF10N6

初步

N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管

特点

6

600V ， 5.7A ，R

DS （ ON）

=1

@V

GS

=10V.

超级高密度电池设计极低R

DS （ ON）

.

高功率和电流处理能力。

TO- 220F全白的通孔

D

G

G

D

S

S

TO-220F

绝对最大额定值（TC = 25℃除非另有说明）

参数

漏源电压

栅源电压

漏电流连续

-Pulsed

漏源二极管的正向电流

最大功率耗散

@ T = 25℃

减免上述25℃

工作和存储Temperautre范围

符号

V

DS

V

GS

I

D

I

DM

I

S

P

D

T

J

, T

英镑

极限

600

30

5.7

17

5.7

50

0.4

-55到150

单位

V

V

A

A

A

W

W / C

C

热特性

热阻，结到外壳

热阻，结到环境

R

JC

R

JA

6-132

2.5

65

C / W

C / W

CEF10N6

电气特性（T

C

= 25°C除非另有说明）

参数

单脉冲漏源

雪崩能量

最大漏源

雪崩电流

符号

a

条件

V

DD

= 50V ，L = 11.8mH

R

G

=25

最小典型最大单位

漏源雪崩额定值

E

AS

I

AS

500

10

mJ

A

6

4

开关特性

漏源击穿电压

零栅极电压漏极电流

门体漏

BV

DSS

I

DSS

I

GSS

V

GS （ TH）

R

DS （ ON）

I

D（上）

g

FS

b

V

GS

= 0V时，我

D

= 250A

V

DS

= 600V, V

GS

= 0V

V

GS

= 30V, V

DS

= 0V

V

DS

= V

GS

, I

D

= 250A

V

GS

= 10V ，我

D

= 5A

V

GS

= 10V, V

DS

= 10V

V

DS

= 40V ，我

D

= 5A

V

DD

=300V,

I

D

= 10A,

V

GS

= 10V

R

根

=25

600

100

V

A

100 nA的

基本特征

a

栅极阈值电压

漏源导通电阻

通态漏电流

正向跨导

2

4

0.75

1.0

10

9

35

90

170

120

55

V

DS

= 480V ，我

D

= 10A,

V

GS

=10V

6-133

V

A

S

开关特性

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

Q

g

Q

gs

Q

gd

70

170

255

180

70

ns

ns

ns

ns

nC

nC

nC

9

22

CEF10N6

电气特性（T

C

= 25°C除非另有说明）

参数

动态特性

b

输入电容

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

V

SD

V

GS

= 0V ，是= 10A

符号

条件

最小典型最大单位

1500

125

50

1.6

P

F

P

F

P

F

6

输出电容

反向传输电容

二极管的正向电压

V

DS

=25V, V

GS

= 0V

F = 1.0MH

Z

漏源二极管的特性

a

V

笔记

a.Pulse测试：脉冲宽度300秒，占空比2 ％。

设计b.Guaranteed ，不受生产测试。

12

V

GS

=10,9,8,7V

10

10

I

D

，漏电流（ A）

8

6

4

2

0

0

2

4

6

8

10

12

V

GS

=6V

I

D

，漏电流（ A）

150 C

1

V

GS

=5V

-55 C

0.1

2

25 C

1.V

DS

=40V

2.Pulse测试

4

6

8

10

V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

图1.输出特性

图2.传输特性

4-134

CEF10N6

R

DS （ ON）

归一化

R

DS （ ON）

,

导通电阻（欧姆）

1800

西塞

1500

2.2

1.9

1.6

1.3

1.0

0.7

0.4

-100

I

D

=5A

V

GS

=10V

C，电容（pF ）

1200

900

600

300

0

0

5

10

15

20

25

科斯

CRSS

6

-50

0

50

100

150

200

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

T

J

，结温（ C）

图3.电容

BV

DSS

归一化

漏源击穿电压

Vth时，归一化

门源阈值电压

1.30

1.20

1.10

1.0

0.90

0.80

0.70

0.60

-50 -25

0

25

50

75 100 125 150

V

DS

=V

GS

I

D

=250 A

图4.导通电阻变化与

温度

1.15

1.10

1.05

1.00

0.95

0.90

0.85

-50 -25

I

D

=250 A

0

25

50

75 100 125 150

TJ ，结温（ C）

TJ ，结温（ C）

图5.门阈值变化

随温度

12

图6.击穿电压变化

随温度

20

10

V

GS

=0V

g

FS

，跨导（ S）

V

DS

=40V

9

6

是，源极 - 漏极电流（ A）

0

2

4

6

8

1

3

0

0.1

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

I

DS

，漏源电流（A ）

V

SD

，体二极管正向电压（ V）

图7.跨导变化

与漏极电流

4-135

图8.体二极管正向电压

变化与源电流

CEF10N6

V

GS

，门源电压（ V）

15

12

9

6

3

0

0

20

40

60

80

QG ，总栅极电荷（ NC）

V

DS

=480V

I

D

=5A

I

D

，漏电流（ A）

10

1

10

N

(O

)L

im

it

10

0

s

1m

m

s

s

10

0m

RD

S

s

D

C

10

0

6

10

-1

T

C

=25 C

TJ = 150℃

单脉冲

10

1

10

2

10

3

10

0

V

DS

，漏源电压（V ）

图9.栅极电荷

图10.最大安全

工作区

V

DD

t

on

V

IN

D

V

GS

R

根

G

90%

t

关闭

t

r

90%

R

L

V

OUT

t

D（上）

V

OUT

t

D（关闭）

90%

10%

t

f

10%

倒

S

V

IN

50%

10%

50%

脉冲宽度

图11.开关测试电路

图12.开关波形

R（T ），归一化有效

瞬态热阻抗

10

0

D=0.5

0.2

10

-1

0.1

0.05

P

DM

t

1

t

2

1. R

JC

（吨） = R （t）的R *

JC

2. R

JC

=请查阅技术资料

3. T

JM-

T

C

= P * R

JC

(t)

4.占空比D = T1 / T2

0.02

0.01

单脉冲

10

-2 -5

10

10

-4

10

-3

10

-2

10

-1

10

0

10

1

方波脉冲持续时间（秒）

图13.归瞬态热阻抗曲线

6-136

N沟道增强型网络场效晶体管

特点

TYPE

CEP10N6

CEB10N6

CEF10N6

V

DSS

600V

600V

600V

R

DS （ ON）

0.75

0.75

0.75

I

D

10A

10A

10A

d

CEP10N6/CEB10N6

CEF10N6

@V

GS

10V

10V

10V

D

超级高密度电池设计极低R

DS （ ON）

.

高功率和电流移交能力。

被收购无铅产品。

D

G

G

D

S

G

CEP系列

TO-220

S

CEB系列

TO-263(DD-PAK)

G

D

S

CEF系列

TO-220F

S

绝对最大额定值

参数

漏源电压

栅源电压

漏电流连续@ T

C

= 25 C

@ T

C

= 100 C

漏电流脉冲

a

TC = 25℃ ，除非另有说明

极限

符号

TO-220/263

V

DS

V

GS

I

D

I

DM

P

D

E

AS

I

AS

T

J

,T

英镑

e

TO-220F

单位

V

V

600

±

30

10

6

40

166

1.3

187.5

5

-55至175

10

d

A

A

d

6

d

40

50

0.4

A

W

W / C

mJ

A

C

最大功率耗散@ T

C

= 25 C

- 减免上述25℃

单脉冲雪崩能量

h

单脉冲雪崩电流

h

操作和存储温度范围

热特性

参数

热阻，结到外壳

热阻，结到环境

符号

R

θJC

R

θJA

0.75

62.5

极限

2.5

65

单位

C / W

C / W

详细信息如有变更，恕不另行通知。

1

冯2. 2011.Feb

http://www.cetsemi.com

电气特性

参数

开关特性

漏源击穿电压

零栅极电压漏极电流

门体漏电流，正向

门体漏电流，反向

基本特征

静态漏源

导通电阻

动态特性

c

输入电容

输出电容

反向传输电容

开关特性

导通延迟时间

开启上升时间

打开-O FF延迟时间

关断下降时间

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

漏源二极管的正向电流

漏源二极管的正向电压

b

c

b

CEP10N6/CEB10N6

CEF10N6

TC = 25℃ ，除非另有说明

符号

BV

DSS

I

DSS

I

GSSF

I

GSSR

V

GS （ TH）

R

DS （ ON）

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

Q

g

Q

gs

Q

gd

I

S

f

V

SD

V

GS

= 0V时，我

S

= 10A

g

测试条件

V

GS

= 0V时，我

D

= 250A

V

DS

= 600V, V

GS

= 0V

V

DS

= 480V ，TC = 125℃

V

GS

= 30V, V

DS

= 0V

V

GS

= -30V, V

DS

= 0V

V

GS

= V

DS

, I

D

= 250A

V

GS

= 10V ，我

D

= 5A

民

600

典型值

最大

单位

V

1

10

100

-100

2

0.65

4

0.75

A

A

nA

nA

V

栅极阈值电压

V

DS

= 25V, V

GS

= 0V,

F = 1.0 MHz的

1760

220

20

32.5

61

150

60

44

7.7

17

10

1.4

pF

pF

pF

ns

ns

ns

ns

nC

nC

nC

A

V

V

DD

= 300V ，我

D

=10A,

V

GS

= 10V ，R

根

= 25

V

DS

= 480V ，我

D

= 10A,

V

GS

= 10V

漏源二极管特性及最大额定值

注意事项：

a.Repetitive评级：脉冲宽度有限的最高结温。

b.Pulse测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2 ％。

设计c.Guaranteed ，不受生产测试。

d.Limited只有最高温度允许的。

e.Pulse宽度有限的安全工作区。

f.Full包我

S（ MAX）的

= 6A .

g.Full套餐五

SD

测试条件我

S

= 6A .

h.L = 15MH ，我

AS

= 8.5A ，V

DD

= 50V ，R

G

= 25Ω ，起始物为

J

= 25 C

2

CEP10N6/CEB10N6

CEF10N6

12

10

8

6

4

2

0

V

GS

=10,9,8,7,6,5V

12

10

8

6

4

2

0

I

D

，漏电流（ A）

I

D

，漏电流（ A）

V

GS

=4V

25 C

T

J

=125C

0

1.5

3.0

4.5

-55 C

6.0

7.5

0

5

10

15

20

25

30

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图1.输出特性

2400

2000

1600

1200

800

400

0

科斯

CRSS

0

5

10

15

20

25

西塞

3.0

2.5

2.0

1.5

1.0

0.5

0.0

-100

V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

图2.传输特性

I

D

=8.5A

V

GS

=10V

R

DS （ON ），

归

R

DS （ ON）

，导通电阻（欧姆）

C，电容（pF ）

-50

0

50

100

150

200

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图3.电容

1.3

1.2

1.1

1.0

0.9

0.8

0.7

0.6

-50

V

DS

=V

GS

T

J

，结温（ C）

图4.导通电阻变化

随温度

10

1

V

TH

归一化

门源阈值电压

I

S

，源极 - 漏极电流（ A）

I

D

=250A

V

GS

=0V

10

0

10

-25

0

25

50

75

100

125

150

-1

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

1.6

T

J

，结温（ C）

图5.门阈值变化

随温度

V

SD

，体二极管正向电压（ V）

图6.体二极管正向电压

变化与源电流

3

CEP10N6/CEB10N6

CEF10N6

V

GS

，门源电压（ V）

10

8

6

4

2

0

V

DS

=480V

I

D

=10A

10

2

R

DS （ ON）

极限

100ms

I

D

，漏电流（ A）

10

1

1ms

10ms

DC

10

0

0

15

30

45

60

10

-1

T

C

=25 C

T

J

=150 C

单脉冲

10

0

10

1

10

2

10

3

QG ，总栅极电荷（ NC）

图7.栅极电荷

V

DD

t

on

V

IN

V

GS

R

根

G

R

L

D

V

OUT

t

D（上）

V

OUT

10%

V

DS

，漏源电压（V ）

图8.最大安全

工作区

t

关闭

t

r

90%

t

D（关闭）

90%

10%

t

f

倒

90%

S

V

IN

50%

10%

50%

脉冲宽度

图9.开关测试电路

图10.开关波形

R（T ），归一化有效

瞬态热阻抗

10

0

D=0.5

0.2

0.1

-1

10

P

DM

0.05

0.02

0.01

t

1

t

2

10

-2

单脉冲

-5

1. R

θJC

（吨） = R （t）的R *

θJC

2. R

θJC

=请查阅技术资料

3. T

JM-

T

C

= P * R

θJC

(t)

4.占空比D = T1 / T2

10

10

-4

10

-3

10

-2

10

-1

10

0

10

1

方波脉冲持续时间（秒）

图11.归瞬态热阻抗曲线

4

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联系人：朱

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27200

TO-220F

全新原装现货，原厂代理。

深圳市华斯顿电子科技有限公司

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联系人：朱咸华

地址：美驻深办公室:深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼A18室/ 分公司:深圳华强北深纺大厦C座西7楼/ 市场部:华强北新亚洲电子市场3B047展销柜

CEF10N6

VB

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电话：0755-82574045

联系人：张女士

地址：广东省深圳市福田区华强北赛格广场66楼6608B

CEF10N6

CET

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27000

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原装正品

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联系人：张女士

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1000

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深圳市易信优科技有限公司

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