飞利浦半导体
2N7002E
N沟道的TrenchMOS FET
2.4
V
GS （ TH）
(V)
典型值
1.8
03aa34
10
-1
I
D
(A)
10
-2
03aa37
10
-3
1.2
民
10
-4
民
典型值
0.6
10
-5
0
-60
10
-6
0
60
120
T
j
(
°
C)
180
0
0.6
1.2
1.8
V
GS
(V)
2.4
I
D
= 1毫安; V
DS
= V
GS
T
j
= 25
°C;
V
DS
= 5 V
图9，栅极 - 源极阈值电压的一个函数
结温
10
2
03ai18
图10，子阈值漏电流的函数
栅源电压
03ai17
0.8
I
S
(A)
C
（PF ）
0.6
C
国际空间站
10
C
OSS
0.4
C
RSS
0.2
150
°C
T
j
= 25
°C
1
10
-1
1
10
V
DS
(V)
10
2
0
0
0.4
0.8
V
SD
(V)
1.2
V
GS
= 0 V ; F = 1 MHz的
T
j
= 25
°C
150
°C;
V
GS
= 0 V
图11.输入，输出和反向传输电容
作为漏极 - 源极电压的函数;典型
值
图12.来源（二极管的正向）的电流的一个函数
源极 - 漏极（二极管的正向）电压;典型
值
9397 750 14944
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牧师02 - 2005年4月26日
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