<双列直插式封装智能功率模块>
PSS20S71F6
传递成型式
绝缘型
图。应用电路的6例
V
UFB
(3)
V
UFS
(1)
C1 D1 C2
C2
U
P
(6)
V
VFB
(9)
+
V
VFS
(7)
C1 D1 C2
C2
V
P
(12)
V
WFB
(15)
+
V
世界粮食首脑会议
(13)
C1 D1 C2
C2
W
P
(18)
IGBT4
Di4
C3
V
P1
(16)
HVIC
W
V
P1
(10)
HVIC
V
IGBT2
Di2
V
P1
(4)
HVIC
U
P
IGBT1
Di1
+
M
IGBT3
Di3
龙GND布线这里可能
产生噪声的输入信号和
导致IGBT误动作。
（ 1 ）如果控制GND与电源通过广泛的共同模式GND相连，它可能会造成电源GND波动故障。
建议在只有一个点N1连接控制GND和电源的GND（分流电阻的端子附近） 。
（ 2 ）建议将每对控制电源端子，以防止浪涌破坏之间的齐纳二极管D1 （ 24V / 1W ） 。
（ 3 ）为了防止电涌破坏，在平滑电容器和P之间的布线， N1的端子应尽可能的短。
通常推荐在P -N1端子之间的0.1-0.22μF缓冲电容器C3组成。
（ 4 ） RC滤波器，以防止保护电路误动作的R1 ， C4 ，建议选择公差，温度补偿型。
时间常数R1C4应设置使得SC电流关断2μs的范围内。 （为1.5μs 2μs的一般建议。 ） SC
断时间可能与布线图案各不相同，所以在真实系统上的足够的评价是必要的。
（ 5 ）为防止误动作， A，B中，C的布线应尽可能的短。
（6）在该布线到CIN的滤波器分割点D应分流电阻的端子附近。 NU ， NV ， NW终端应
连接在邻近的NU ，NV， NW的终端时，它被用来通过一个旁路操作。
低电感SMD型紧容限，
温度补偿型推荐用于分流电阻。
（7）所有电容器的安装应尽可能靠近终端成为可能。 （C ：良好的温度，频率特性的电解
型和C2 ： 0.22μ - 2μF ，良好的温度，频率和直流偏置特性的陶瓷型推荐） 。
（ 8 ）输入逻辑高电平有效。有一个3.3kΩ（最小）的下拉电阻在集成电路的输入电路。为防止误动作，在输入接线
应尽可能地短。当使用RC耦合，使输入信号电平满足开通和关断阈值电压。
（ 9 ）火炭输出为开漏型。应当拉至MCU （例如5V，3.3V ）的电源通过电阻器，使我
Fo
最多为1mA。
(I
FO
大致是由控制电源电压通过上拉电阻分割的公式估算。在上拉至5V的情况下，
为10kΩ （ 5kΩ的或更多）的建议。 ）当使用光耦合器，佛也可以拉至15V （ DIPIPM的控制电源）由
电阻器。
-6
(10)
佛脉冲宽度可以由连接到CFO终端的电容器进行设置。
FO
（F ）= 9.1 ×10×吨
FO
（必填佛脉冲宽度） 。
（ 11 ）如果高频噪声叠加到控制电源线，可能导致IC故障并导致DIPIPM错误
操作。为了避免这样的问题，线电压纹波电压应该满足的dV / dt ≤ +/- 1V / μs的， Vripple≤2Vp -P 。
（12）对于DIPIPM的，所以不推荐通过与其他相的IGBT或其它DIPIPM的并联连接，以便驱动该负载。
出版日期： 2013年12月
8
MCU
5kΩ
5V
R2
15V
VD
C1 + D1
C2
+
V
OT
(20)
U
N
(21)
V
N
(22)
W
N
(23)
NV
Fo(24)
CFO(25)
IGBT5
Di5
NU
LVIC
IGBT6
Di6
NW
V
N1
(28)
V
NC
(27)
CIN(26)
B
C4
R1
A
分流电阻器
长线路可能会在这里
造成短路故障
长线路在这里可能会导致SC
水平波动和故障。
C
D
控制GND布线
N1
电源GND布线
