<双列直插式封装智能功率模块>
PSS20S71F6
传递成型式
绝缘型
概要
主要功能和评级
3相DC / AC逆变器
600V / 20A （ CSTBT ）
N侧IGBT发射极开路
内置自举二极管限流电阻
应用
AC 100 240Vrms （直流电压： 400V或以下）班
低功耗电机控制
型号名称
PSS20S71F6
随着温度输出功能
集成驱动，保护和系统控制功能
● P侧
：驱动电路，高压高速电平转换，控制电源欠压（ UV）保护
●对于N端
：驱动电路，控制电源欠压保护（ UV） ，短路保护（ SC ） ，
●故障信号：对应SC故障（ N侧IGBT ） ，UV故障（ N侧电源）
●温度输出： 1.4.3 LVIC温度模拟信号
●输入接口： 3 ， 5V线，施密特触发器接收电路（高活性）
● UL认证： UL1557文件E80276
内部电路
V
UFB
(1)
V
UFB
(3)
V
P1
(4)
U
P
(6)
DIPIPM
HVIC1
IGBT1
Di1
HO
P(37)
U(36)
V
VFS
(7)
V
VFB
(9)
V
P1
(10)
V
P
(12)
HVIC2
IGBT2
Di2
HO
V(35)
V
世界粮食首脑会议
(13)
V
WFB
(15)
V
P1
(16)
W
P
(18)
HO
HVIC3
IGBT3
Di3
W(34)
IGBT4
LVIC
Di4
U
OUT
V
OT
(20)
U
N
(21)
NU(33)
IGBT5
Di5
V
OUT
V
N
(22)
W
N
(23)
F
O
(24)
IGBT6
NV(32)
Di6
W
OUT
CFO(25)
CIN(26)
V
NC
(27)
V
N1
(28)
NW(31)
出版日期： 2013年12月
1
<双列直插式封装智能功率模块>
PSS20S71F6
传递成型式
绝缘型
最大额定值
(T
j
= 25 ℃，除非另有说明）
逆变部分
符号
V
CC
V
CC （浪涌）
V
CES
±I
C
±I
CP
P
C
T
j
参数
电源电压
电源电压（浪涌）
集电极 - 发射极电压
集电极电流
集电极电流（峰值）
集电极耗散
结温
条件
P- NU ， NV ， NW之间施加
P- NU ， NV ， NW之间施加
T
C
= 25°C
T
C
= 25 ℃，小于1ms
T
C
= 25℃时，每1片
评级
450
500
600
20
40
76.9
-20~+150
单位
V
V
V
A
A
W
°C
控制（保护）第
符号
V
D
V
DB
V
IN
V
FO
I
FO
V
SC
参数
控制电源电压
控制电源电压
输入电压
故障输出电源电压
故障输出电流
电流检测输入电压
条件
V的应用
P1
-V
NC
, V
N1
-V
NC
V的应用
UFB
-V
UFS
, V
VFB
-V
VFS
,V
WFB-
V
世界粮食首脑会议
ü之间施加
P
, V
P
, W
P
-V
PC
, U
N
, V
N
, W
N
-V
NC
F之间施加
O
-V
NC
灌电流以F
O
终奌站
CIN -V的应用
NC
评级
20
20
-0.5~V
D
+0.5
-0.5~V
D
+0.5
1
-0.5~V
D
+0.5
单位
V
V
V
V
mA
V
系统总
符号
V
CC （ PROT ）
T
C
T
英镑
V
ISO
参数
自我保护限制电压
（短路保护功能）
工作壳温
储存温度
隔离电压
条件
V
D
= 13.5 16.5V ，逆变部分
T
j
= 125 ℃，非重复，小于2μs的
锝的测量点在图1中提供的
60Hz的正弦， AC 1分钟，之间连接的所有引脚
和散热板
评级
400
-20~+100
-40~+125
2500
单位
V
°C
°C
V
RMS
图。 1：T
C
测量点
控制端
17.7mm
18mm
槽
IGBT芯片位置
FWDI芯片位置
电源端子
TC点
散热器侧
热阻
符号
R
日（J -C ） Q
R
日（J -C ）F
参数
结到外壳热
阻力
（注1 ）
条件
IGBT逆变器部分（每1/6模块）
变频器FWDI部分（每1/6模块）
分钟。
-
-
范围
典型值。
-
-
马克斯。
1.3
3.0
单位
K / W
K / W
注1：脂具有良好的导热性和长期耐久性应与均匀地施加约± 100微米+ 200微米上的接触表面
DIPIPM和散热器。 DIPIPM的情况下和散热器的Rth （立方英尺）之间的接触热阻是由厚度与热测定
导电性的应用润滑脂。供参考， Rth的（比照）为约0.3K / W （每1/6模块，润滑脂厚度： 20微米，热导率： 1.0W /米 k）的。
出版日期： 2013年12月
2
<双列直插式封装智能功率模块>
PSS20S71F6
传递成型式
绝缘型
电气特性
(T
j
= 25 ℃，除非另有说明）
逆变部分
符号
V
CE （ SAT ）
V
EC
t
on
t
C（ ON）
t
关闭
t
C（ OFF）
t
rr
I
CES
参数
集电极 - 发射极饱和
电压
FWDI正向电压
V
D
=V
DB
= 15V, V
IN
= 5V
V
IN
= 0V ，-I
C
= 20A
V
CC
= 300V, V
D
= V
DB
= 15V
I
C
= 20A ，T
j
= 125°C ，V
IN
= 05V
感性负载（上，下臂）
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
条件
I
C
= 20A ，T
j
= 25°C
I
C
= 20A ，T
j
= 125°C
分钟。
-
-
-
0.95
-
-
-
-
-
-
范围
典型值。
1.40
1.50
1.50
1.55
0.50
1.75
0.40
0.30
-
-
范围
典型值。
-
-
-
-
0.48
-
-
-
-
2.64
-
-
2.4
1.00
2.10
1.30
0.80
0.9
20
马克斯。
1.90
2.00
2.00
2.15
0.80
2.35
0.60
-
1
10
单位
V
V
μs
μs
μs
μs
μs
mA
开关时间
集电极 - 发射极截止
当前
V
CE
=V
CES
控制（保护）第
符号
I
D
短路电流
I
DB
V
SC （ REF）
UV
DBT
UV
DBR
UV
Dt
UV
Dr
V
OT
V
FOH
V
FOL
t
FO
I
IN
V
TH （ON）的
V
TH （OFF）的
V
日（ HYS ）
V
F
R
短路跳闸等级
P侧控制电源
欠压保护（UV）的
N侧控制电源
欠压保护（UV）的
温度输出
FAULT输出电压
故障输出脉冲宽度
输入电流
对阈值电压
断阈值电压
开/关阈值
滞后电压
引导迪正向电压
参数
总的V
P1
-V
NC
, V
N1
-V
NC
V的每个部分
UFB
- V
UFS
,
V
VFB
- V
VFS
, V
WFB
- V
世界粮食首脑会议
V
D
= 15V
T
j
≤125°C
旅行等级
复位电平
旅行等级
复位电平
条件
V
D
=15V, V
IN
=0V
V
D
=15V, V
IN
=5V
V
D
=V
DB
=15V, V
IN
=0V
V
D
=V
DB
=15V, V
IN
=5V
（注2 ）
拉下R = 5kΩ的
（注3）
LVIC温度= 90℃
V
SC
= 0V ，女
O
端子上拉至5V通过10kΩ的
V
SC
= 1V ，我
FO
= 1毫安
（注4 ）
C
FO
=22nF
V
IN
= 5V
ü之间施加
P
, V
P
, W
P
, U
N
, V
N
, W
N
-V
NC
I
F
= 10毫安包括压降通过限流电阻
（注5 ）
分钟。
-
-
-
-
0.45
10.0
10.5
10.3
10.8
2.51
4.9
-
1.6
0.70
-
0.80
0.35
马克斯。
6.00
6.00
0.55
0.55
0.51
12.0
12.5
12.5
13.0
2.76
-
0.95
-
1.50
2.60
-
-
1.3
24
单位
mA
V
V
V
V
V
V
V
V
ms
mA
V
V
Ω
内置的限流电阻
包括引导迪
0.5
16
注2 ：短路保护仅适用于N侧IGBT的工作原理。请选择外部分流电阻，使得SC触发电平低于2.0倍的额定电流。
3 ： DIPIPM自动不关机IGBT和输出故障信号，当温度过度上升。当温度超过保护级别
用户定义控制器（ MCU）应停止DIPIPM 。 LVIC的温度与VOT输出特性图描述。 3 。
4 ：故障信号佛时， SC或UV防护工程输出。佛脉冲宽度是每一保护模式的不同。在SC故障，佛脉冲宽度是固定宽度
这是由连接到C的电容器指定
FO
终奌站。 （
C
FO
=9.1 x 10
-6
x深
FO
[F])
的，但在紫外线破坏，佛连续地输出，直到从紫外回收
状态。 （但最低佛脉冲宽度是指定的时间用C
FO
.)
5 ：引导迪的特性图2中描述。
图。自举迪V 2特点
F
-I
F
曲线（ @ TA = 25 ° C）包括限流电阻的电压降（右图放大图。 ）
800
700
600
500
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
0
1
2
3
4
5
6
7 8 9 10 11 12 13 14 15
V
F
[V]
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8 1.0
V
F
[V]
1.2
1.4
1.6
1.8
I
F
[马]
400
300
200
100
0
出版日期： 2013年12月
3
I
F
[马]
<双列直插式封装智能功率模块>
PSS20S71F6
传递成型式
绝缘型
图。 LVIC的3温度与V
OT
输出特性
3.5
马克斯。
3.3
典型值。
3.1
分钟。
2.9
2.7
VOT输出（ V） _
2.76
2.64
2.5
2.51
2.3
2.1
1.9
1.7
1.5
55
65
75
85
LVIC温度（℃）
95
105
115
图。 4 V
OT
输出电路
里面LVIC
DIPIPM的
温度
信号
V
OT
REF
V
NC
5kΩ
MCU
（ 1 ）建议将5kΩ的（一个5.1kΩ推荐）下拉电阻来获得线性的输出特性，在低温
低于室温的温度下进行。当下拉电阻插入V之间
OT
和V
NC
（控制GNO）时，多余的电路电流，这是
由V近似计算
OT
输出电压通过下拉电阻分，流动， LVIC电路连续电流。如果是
采用V
OT
以上仅室内温度检测高温，不必插入下拉电阻。
（2）在使用的V的情况下
OT
与像3.3V的MCU ，V低电压控制器
OT
输出可能会超过控制电源电压为3.3V时，
温度过度上升。如果系统采用低电压控制器，建议插入夹具迪的控制电源之间
控制器和V
OT
输出防止过电压的破坏。
（3）在不使用V的情况下
OT
，留下V
OT
输出NC （未连接） 。
请参阅该应用笔记这个产品有关V的用法
OT
.
出版日期： 2013年12月
4
<双列直插式封装智能功率模块>
PSS20S71F6
传递成型式
绝缘型
机械特性和额定值
参数
安装力矩
终端拉动力量
终端抗弯强度
重量
散热器平整度
注6 ：平垫圈（ ISO 7089 7094 ）的建议。
注7：散热片平整度测量点
（注7 ）
条件
安装螺钉： M3
（注6 ）
负载9.8N
负荷4.9N ， 90度。弯
推荐0.78N ·m的
EIAJ-ED-4701
EIAJ-ED-4701
分钟。
0.59
10
2
-
-50
范围
典型值。
0.78
-
-
21
-
马克斯。
0.98
-
-
-
100
单位
N·m的
s
时
g
μm
12.78mm
-+
测量位置
4.65mm
13.5mm
散热器侧
+
-
23mm
散热器侧
推荐工作条件
符号
V
CC
V
D
V
DB
ΔV
D
, ΔV
DB
t
DEAD
f
PWM
I
O
PWIN （上）
参数
电源电压
控制电源电压
控制电源电压
控制电源变化
臂直通阻塞时间
PWM输入频率
允许均方根当前
条件
P- NU ， NV ， NW之间施加
V的应用
P1
-V
NC
, V
N1
-V
NC
V的应用
UFB
-V
UFS
, V
VFB
-V
VFS
, V
WFB
-V
世界粮食首脑会议
对于每个输入信号
T
C
= 100 ° C，T
j
≤ 125°C
V
CC
= 300V, V
D
= 15V ， P.F = 0.8 ，
正弦脉宽调制
T
C
= 100 ° C，T
j
≤ 125°C
(Note8)
f
PWM
=为5kHz
f
PWM
= 15kHz的
（注9 ）
分钟。
0
13.5
13.0
-1
1.5
-
-
-
0.7
1.4
2.5
3.0
-5.0
-20
范围
典型值。
300
15.0
15.0
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
马克斯。
400
16.5
18.5
+1
-
20
14.0
单位
V
V
V
V / μs的
μs
千赫
武器
13.0
-
-
-
-
+5.0
+125
V
°C
μs
PWIN （关闭）
最小输入脉冲宽度
V
NC
T
j
V
NC
变异
结温
低于额定电流
200V≤V
CC
≤350V,
额定电流之间
13.5V≤V
D
≤16.5V,
的额定功率和1.7倍
13.0V≤V
DB
≤18.5V,
当前
-20°C≤Tc≤100°C,
之间的1.7倍，
N行布线电感
2.0倍额定电流的
小于10nH到（注10 ）
V之间
NC
-NU ， NV ，NW （包括浪涌）
注8 ：允许均方根电流取决于实际应用的条件。
9： DIPIPM可能没有反应，如果输入信号的脉冲宽度小于PWIN （上）
10： IPM可能延迟反应或用于将输入信号与开关脉冲没有响应宽小于PWIN （关闭）。请参考下面关于延迟反应。
对较短的输入信号关比PWIN （关）延迟反应（P端只）
P侧控制输入
内部IGBT栅极
实线：关闭脉冲宽度> PWIN （关闭） ;打开时间t1
虚线：关闭脉冲宽度< PWIN （关闭） ;打开时间t2
（ T1 ：正常切换时间）
输出电流Ic
t2
t1
出版日期： 2013年12月
5
QQ：2881677436 复制
