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ADP3207D
阻抗是电阻完全在尽可能广泛的
的频率范围内，其中包括直流电，并等于该下垂
电阻（R
O
） 。与电阻的输出阻抗，则
输出的压降成比例用在任何负载电流
负载电流转换率。这保证了最佳的定位和
最大限度地减少了输出去耦。
与ADP3207D的多模式反馈结构，
用户需要设置的反馈补偿，使
在并行转换器输出阻抗工作与输出
脱钩。数极点和零点由输出创建的
电感器和去耦电容（输出滤波器）需要
进行补偿。
A型三补偿器上的电压反馈
足够的输出滤波器的适当的补偿。
等式28至36是为了得到一种最佳的起始
点的设计;一些调整可能有必要
占PCB和元件的寄生效应（参见
优化程序ADP3207D部分） 。
该网络的第一步是计算时间常数为所有的
极点和零点的系统：
R
E
+
n
R
O
)
A
D
)
2
n
L
R
DS
)
(1
*
n
C
X
R
O
L
X
R
O
C
X
R
f
这些组件的标准值受
调谐过程中，如在C引入
IN
选择和
输入电流D
I
/D
T
减少部分。
在电感电流连续模式下，电源电流
高侧MOSFET约方波
与占空比等于n x垂直
OUT
/V
IN
和的振幅
1 - n个最大输出电流。为了防止大的电压
瞬变，具有低ESR的输入电容器的尺寸为最大
RMS电流必须被使用。最大RMS电容器
电流发生在最低输入电压，并且由下式给出：
I
CRMS
+
D
I
O
1
n
44 A
D
*
1
1
*
1
+
10.3 A
0.164
（ EQ 。 37 ）
C
IN
选择和输入电流D
I
/D
T
减少
I
CRMS
+
0.164
2
R
L
D)
V
RT
V
ID
V
RT
（当量28）
在一个典型的笔记本电脑系统，电池铁路decouplings
是多层陶瓷电容器的电容或MLCC电容器的混合物和
大容量电容器。在这个例子中，输入电容器组是
由八片10形成
MF，
和25 V MLCC电容器
每个约1.5 A的额定纹波电流。
RC缓冲
V
VID
R
O
*
R
R
X
T
A
+
C
X
(R
O
*
R )
)
（ EQ 。 29 ）
（ EQ 。 30 ）
T
B
+
(R
X
)
R
*
R
O
)
V
RT
T
C
+
T
D
+
L
*
V
VID
C
X
C
X
A
D
DS
2
SW
R
E
C
Z
R
O 2
R
O
（ EQ 。 31 ）
其中：
R'是从大容量电容器的印刷电路板的电阻
陶瓷。
DS
是导通电阻的总的低侧MOSFET
每相。
对于这个例子，一个
D
是5，V
RT
= 1.5 V时， R'为约
0.4毫瓦（假设一个8层的主板）和L-
X
is
250的pH为4松下SP的电容器。
补偿值可通过求解
以下几点：
C
A
+
R
A
+
n
R
O
R
E
T
C
C
A
T
B
R
B
T
D
R
A
（ EQ 。 36 ）
（ EQ 。 35 ）
（ EQ 。 34 ）
T
A
R
B
（ EQ 。 33 ）
(R
O
*
R )
)
C
Z
（ EQ 。 32 ）
它是在任何降压拓扑结构中使用的电阻器的重要
跨越低侧功率MOSFET电容缓冲。该
RC缓冲衰减振荡的开关节点上时，
高边MOSFET导通。可以在开关节点振铃
导致EMI的系统故障和增加的压力电源
部件和控制器。 RC缓冲应
放置在尽可能靠近低侧MOSFET 。典型
对于电阻范围从1个值
W
10
W.
典型值
对于电容范围为330 pF至4.7 nF的。确切的
RC缓冲的值取决于PCB布局和
MOSFET的选择。一些微调必须做到发现
最佳值。下面的等式被用来查找
开始为RC subber值。
R
缓冲器
+
C
缓冲器
+
1
2
p
p
f
铃声
1
f
铃声
R
缓冲器
V
输入2
f
具有结构转换
（ EQ 。 39 ）
（ EQ 。 40 ）
C
OSS
（ EQ 。 38 ）
P
缓冲器
+
C
缓冲器
C
B
+
其中R
缓冲器
是缓冲电阻。
C
缓冲器
是缓冲电容器。
f
铃声
是振铃的交换节点上的频率
当高边MOSFET导通。
C
OSS
是低边MOSFET的输出电容在V
输入
.
这是从低侧MOSFET的数据表。
V
输入
是输入电压。
f
开关
为开关频率。
P
缓冲器
是功率消耗在研发
缓冲器
.
C
FB
+
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28
