ADP3207D
知的最大输出热电流和
允许的最大功率耗散，用户可以找到的
所需的R
DS （ ON）
为MOSFET 。对于8引脚SOIC或
8引脚SOIC封装兼容的封装MOSFET的结
至环境（PCB）的热阻抗为50℃ / W 。在最坏的
情况下，该印刷电路板的温度是90℃，重负载时
笔记本电脑的操作;对于P安全限制
SF
为0.6W，
120 ° C的结温。因此，在这个例子
（ 32的最大热电流） ，R
DS （ SF ）
（每个MOSFET ）是
大于9.6毫瓦为两片低侧MOSFET以下。这
R
DS （ SF ）
也是在约120 ℃的结点温度;
因此，则R
DS （ SF ）
（每个MOSFET）应低于
6.8毫瓦，在室温，得到9.6毫瓦高
温度。
对于同步MOSFET的另一个重要因素是
输入电容和反馈电容。的比率
反馈到输入必须是小的（小于10％是
推荐的） ，以防止意外的开启的
当开关节点变为高电平同步MOSFET 。
高侧（主） MOSFET具有能够处理
两个主要的功率耗散元件，传导和
开关损耗。开关损耗与量
的时间花费主MOSFET开启和关断，并
给正在切换的电流和电压。在此基础
开关速度的上升和下降的栅极驱动器的时间
阻抗和MOSFET的输入电容，公式16
为每个主开关损耗的近似值
的MOSFET。
P
S（ MF ）
+
2
f
SW
V
CC
n
MF
I
O
R
G
n
MF
n
C
国际空间站
（当量16）
产生420毫瓦每一个同步MOSFET和
410毫瓦每一个主要的MOSFET。
最后一个要考虑的是在功耗
驱动各相。这是在的条件最好的描述
QG为MOSFET和由下式给出：
P
DRV
+
f
SW
2
n
V
CC
n
MF
Q
转基因食品
)
n
SF
Q
QSF
)
I
CC
（当量18）的
其中：
Q
转基因食品
对于每个主MOSFET的总栅极电荷。
Q
GSF
对于每一个同步的总栅极电荷
MOSFET。
这也示出了待机功耗（我
CC
X V
CC
）的
驱动程序。对于ADP3611 ，最大耗散应
小于300毫瓦，考虑到其热阻抗
220 ℃/ W和最大温升为50℃ 。
在这个例子中，与我
CC
= 2毫安， Q
转基因食品
= 14 NC和
Q
GSF
= 51 NC ，存在于每个驱动器120毫瓦耗散
它低于300毫瓦功耗限制。参阅数据
表ADP3611的更多细节。
RAMP电阻选择
斜坡电阻（R
R
）用于设定的大小
内部PWM斜坡。该电阻的值被选择为
提供的热平衡，稳定的最佳组合，
和瞬态响应。使用该方程以确定
初始值：
R
R
+
A
R
3
A
D
0.5
3
5
L
R
DS
C
R
+
462千瓦
（当量19）的
其中：
n
MF
是主要的MOSFET的总数量。
G
是总
栅极电阻（ 1.5
W
对于ADP3611和约0.5
W
为
两件典型的高速开关MOSFET ，
制作
G
= 2
W).
C
国际空间站
是主要的输入电容
MOSFET。减少开关损耗的最好的事情就是用
降低栅极电容的设备。
主MOSFET的传导损耗由下式给出：
P
C（ MF ）
+
D
I
O
n
MF
2
R
R
+
360 nH的
5.2毫瓦
5 pF的
)
1
12
n
I
R
2
n
MF
R
DS （ MF ）
（当量17）
式中，R
DS （ MF ）
是MOSFET的导通电阻。
通常情况下，主MOSFET的，用户想要的是最高
速度（低C
国际空间站
）的设备，但这些通常具有更高的
导通电阻。用户必须选择与满足总的设备
功耗（针对单个8引脚SOIC 0.6 W）时，
组合开关和传导损耗。
例如，使用一个IRF7821设备作为主
MOSFET（ 4总共;即，正
MF
= 4） ，其中约
C
国际空间站
= 1010 pF的（最大）和R
DS （ MF ）
= 18毫瓦
（最多在T
J
= 120℃ ）和IR7832设备作为
同步MOSFET （ 4总共;即，正
SF
= 4),
R
DS （ SF ）
= 6.7毫瓦（最大在T
J
= 120 ℃）。解为
每个MOSFET的功耗在我
O
= 32 A和I
R
= 10.7 A
其中：
A
R
是内部斜坡扩增fi er增益。
A
D
是目前均衡放大器增益器。
R
DS
是导通电阻的总的低侧MOSFET ，
C
R
是内部斜坡电容值。
在R的选择另一个考虑因素
R
是的大小
内部斜坡电压（见公式20 ） 。对于稳定性和噪声
免疫力，保持这个坡道规模超过0.5 V.另外较大，
大坡道的大小，有助于减小输出电压振铃回
在阶跃负载瞬变，在EPWM被触发。服用
的R这些考虑，该值
R
被选定为200千瓦。
内部斜坡电压幅度可以下式计算：
V
R
+
V
R
+
A
R
R
R
0.2
200千瓦
(1
*
D)
C
R
V
VID
f
SW
1.150 V
280千赫
+
0.77 V
（当量20）的
(1
*
0.061)
5 pF的
内部斜坡的尺寸可以增大或
小。如果它较大，则稳定性和瞬态
响应提高，但热平衡降低。同样，
如果斜变小，则热平衡改善
在瞬态响应和稳定的牺牲。因素
3在等式19的分母的设置最小
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