位置：首页 > IC型号导航 > 首字符S型号页 > 首字符S的型号第1613页 > S29AL004D70BAI013 > S29AL004D70BAI013 PDF资料 > S29AL004D70BAI013 PDF资料2第35页
A D V A N权证
我N· R M一T I O 4 N
DC特性
20纳秒
+0.8 V
–0.5 V
–2.0 V
20纳秒
20纳秒
V
CC
+2.0 V
V
CC
+0.5 V
2.0 V
20纳秒
20纳秒
20纳秒
图7 。
最大负过冲波形如图8所示。
表7中。
最大正过冲波形
CMOS兼容
测试条件
民
典型值
最大
±1.0
35
±1.0
10兆赫
18
9
2
15
9
2
20
0.2
0.2
0.2
–0.5
0.7× V
CC
35
16
4
30
16
4
35
5
5
5
0.8
V
CC
+ 0.3
12.5
0.45
2.4
V
CC
–0.4
2.3
2.5
V
mA
A
A
A
V
V
V
V
V
mA
单位
A
A
A
参数
I
LI
I
点亮
I
LO
描述
输入负载电流
A9输入负载电流
输出漏电流
V
IN
= V
SS
到V
CC
,
V
CC
= V
CC MAX
V
CC
= V
CC MAX
; A9 = 12.5 V
V
OUT
= V
SS
到V
CC
,
V
CC
= V
CC MAX
CE＃ = V
白细胞介素，
OE ＃
=
V
IH ，
字节模式
I
CC1
V
CC
读操作工作电流
（注1,2 ）
CE＃ = V
白细胞介素，
OE ＃
=
V
IH ，
文字模式
5兆赫
1兆赫
10兆赫
5兆赫
1兆赫
I
CC2
I
CC3
I
CC4
I
CC5
V
IL
V
IH
V
ID
V
OL
V
OH1
V
OH2
V
LKO
V
CC
主动写电流
（注2，3， 6）
V
CC
待机电流（注2 ）
V
CC
复位电流（注2 ）
自动休眠模式
（注2,5）
输入低电压
输入高电压
电压自动选择和
临时机构撤消
输出低电压
输出高电压
低V
CC
锁定电压（注4 ）
CE＃ = V
白细胞介素，
OE ＃
=
V
IH
CE ＃ ， RESET ＃ = V
CC
±0.3
V
RESET ＃ = V
SS
±
0.3 V
V
IH
= V
CC
±
0.3 V;
V
IL
= V
SS
±
0.3 V
V
CC
= 3.3 V
I
OL
= 4.0毫安， V
CC
= V
CC分钟
I
OH
= -2.0毫安，V
CC
= V
CC分钟
I
OH
= -100 μA ，V
CC
= V
CC分钟
11.5
1.
2.
3.
4.
5.
6.
在我
CC
目前上市的是通常小于2毫安/兆赫，使用OE ＃在V
IH
。典型的V
CC
为3.0 V.
我最大
CC
特定网络连接的阳离子与V测试
CC
= V
CCmax
.
I
CC
积极而嵌入式擦除或嵌入式程序正在进行中。
在扩展级温度范围（ > + 85°C ） ，典型电流为5μA和最大电流为10μA 。
自动休眠模式可以在地址保持稳定吨的低功耗模式
加
+ 30纳秒。
未经100％测试。
2005年2月18日S29AL004D_00_A1
S29AL004D
33
