典型特征
65
T
C
= --30_C
25_C
55
V
DD
= 50伏直流
I
DQ
= 150毫安
F = 130 MHz的
脉冲宽度= 100
微秒
占空比= 20 ％
25
30
35
40
45
G
ps
，功率增益（分贝）
85_C
27
26
25
24
23
22
21
20
10
100
P
OUT
，输出功率（瓦） PEAK
G
ps
η
D
V
DD
= 50伏直流
I
DQ
= 150毫安
F = 130 MHz的
脉冲宽度= 100
微秒
占空比= 20 ％
1000
25_C
85_C
T
C
= --30_C
80
70
60
50
40
30
20
η
D,
排水 FFI效率（ ％ ）
P
OUT
，输出功率（dBm ）
60
50
45
20
10
2000
P
in
输入功率（dBm ） PEAK
图10.输出功率与输入功率
图11.功率增益和漏极效率
与输出功率
10
8
V
DD
= 50伏直流
P
OUT
= 1000瓦CW
η
D
= 72%
0.18
Z
θJC
，热阻抗（ ℃/ W）
0.16
0.14
平均无故障时间（小时）
0.12
0.1
0.08
0.06
0.04
0.02
D = 0.5
D = 0.3
D = 0.1
D = 0.7
P
D
t
1
t
2
T
C
=外壳温度
Z
θJC
=热阻抗（从图）
P
D
=峰值功率耗散
t
1
=脉冲宽度;吨
2
脉冲周期
D =占空比= T
1
/t
2
T
J
（峰值） = P
D
* Z
θJC
+ T
C
10
7
10
6
0
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
矩形脉冲宽度（ S）
10
5
90
110
130
150
170
190
210
230
250
T
J
，结温（ ° C）
注意：
平均无故障时间的值表示总累计时间
下所示的试验条件。
MTTF计算器可在freescale.com/RFpower 。选择
软件&工具/开发工具/计算器访问MTTF
计算器按照产品。
对于脉冲的应用程序或CW条件下，用MTTF计算器
以上引用。
图12.瞬态热阻抗
图13. MTTF与结温 - CW
-
MRF6VP11KHR6 MRF6VP11KGSR5
6
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
