SPN11T10
N沟道增强型MOSFET
描述
该SPN11T10是N沟道逻辑增强模式
这是使用超生产功率场效应晶体管
高细胞密度的DMOS沟道技术。该SPN11T10
已被专门设计用于改善整体
使用的DC / DC转换效率同步或
传统开关PWM控制器。它一直
低栅极电荷优化，低R
DS （ ON）
和快速
开关速度。
特点
100V / 8A ，R
DS （ ON）
= 120MΩ @ V
GS
= 10V
高密度电池设计极低的RDS （ ON）
呈导通电阻和最大直流电流
能力
TO- 252 ， TO- 251封装设计
应用
动力系统
DC / DC转换器
负荷开关
引脚配置
TO-252
TO-251
最热
2010/08/03
Ver.1
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