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SPN11T10
N沟道增强型MOSFET
描述
该SPN11T10是N沟道逻辑增强模式
这是使用超生产功率场效应晶体管
高细胞密度的DMOS沟道技术。该SPN11T10
已被专门设计用于改善整体
使用的DC / DC转换效率同步或
传统开关PWM控制器。它一直
低栅极电荷优化，低R
DS （ ON）
和快速
开关速度。
特点
100V / 8A ，R
DS （ ON）
= 120MΩ @ V
GS
= 10V
高密度电池设计极低的RDS （ ON）
呈导通电阻和最大直流电流
能力
TO- 252 ， TO- 251封装设计
应用
动力系统
DC / DC转换器
负荷开关
引脚配置
TO-252
TO-251
最热
2010/08/03
Ver.1
第1页
SPN11T10
N沟道增强型MOSFET
引脚说明
针
1
2
3
符号
G
S
D
描述
门
来源
漏
订购信息
产品型号
包
部分
记号
SPN11T10T252RGB
TO-252
SPN11T10T251TGB
TO-251
※
SPN11T10T252RGB ：带卷轴;铅 - 免费;卤素 - 免费
※
SPN11T10T251RGB ：管;铅 - 免费;卤素 - 免费
SPN11T10
SPN11T10
ABSOULTE最大额定值
(T
A
=25
℃
除非另有说明）
参数
漏源电压
栅 - 源电压
连续漏电流（T
J
=150
℃
)
漏电流脉冲
雪崩电流
功率耗散@ T
A
=25℃
工作结温
存储温度范围
热阻，结到环境
T
A
=25℃
T
A
=70℃
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DM
I
AS
P
D
T
J
T
英镑
R
θJA
典型
100
±20
16
10.0
50
14
40
150
-55/150
110
单位
V
V
A
A
A
W
℃
℃
℃
/W
2010/08/03
Ver.1
第2页
SPN11T10
N沟道增强型MOSFET
电气特性
(T
A
=25
℃
除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
栅极漏电流
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
漏源导通电阻
正向跨导
二极管的正向电压
动态
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
输入电容
输出电容
反向传输电容
开启时间
打开-O FF时间
符号
条件
分钟。
典型值
马克斯。
单位
V
（ BR ） DSS
V
GS
=0V,I
D
=250uA
V
GS （ TH）
V
DS
=V
GS
,I
D
=250uA
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
R
DS （ ON）
政府飞行服务队
V
SD
Q
g
Q
gs
Q
gd
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
=50V,R
L
=5
I
D
≡10A,V
根
=10V
R
G
=3.3
V
DS
=25,V
GS
=0V
f=1MHz
V
DS
=0V,V
GS
=±20V
V
DS
=80V,V
GS
=0V
V
DS
=80V,V
GS
=0V
T
J
=125℃
V
DS
≥5V,V
GS
=10V
V
GS
= 10V ，我
D
=8A
V
GS
= 4.5V ，我
D
=3A
V
DS
=10V,I
D
=8A
I
S
=8A,V
GS
=0V
100
1
3
±100
25
250
11
120
200
7.3
1.3
13
2.2
6
450
65
50
5
17
15
4.4
720
21
V
nA
uA
A
m
m
S
V
V
DS
=80V,V
GS
=10V
I
D
= 10A
nC
pF
nS
2010/08/03
Ver.1
第3页
SPN11T10
N沟道增强型MOSFET
典型特征
2010/08/03
Ver.1
第4页
SPN11T10
N沟道增强型MOSFET
典型特征
2010/08/03
Ver.1
第5页
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