恩智浦半导体
BC847系列
45 V ， 100毫安NPN通用晶体管
1200
h
FE
1000
(1)
mgt731
1200
V
BE
（毫伏）
1000
(1)
mgt732
800
(2)
800
(2)
600
600
400
(3)
400
(3)
200
200
0
10
1
1
10
10
2
I
C
（MA ）
10
3
0
10
2
10
1
1
10
10
2
10
3
I
C
（MA ）
V
CE
= 5 V
(1) T
AMB
= 150
C
(2) T
AMB
= 25
C
(3) T
AMB
=
55 C
V
CE
= 5 V
(1) T
AMB
=
55 C
(2) T
AMB
= 25
C
(3) T
AMB
= 150
C
图9 。
C组：直流电流增益的函数
集电极电流;典型值
10
4
mgt733
图10 C组：基极 - 发射极电压的函数
集电极电流;典型值
1200
V
BESAT
（毫伏）
1000
(1)
mgt734
V
CESAT
（毫伏）
10
3
800
(2)
600
(3)
10
2
(1)
400
200
(3) (2)
10
10
1
1
10
10
2
I
C
（MA ）
10
3
0
10
1
1
10
10
2
I
C
（MA ）
10
3
I
C
/I
B
= 20
(1) T
AMB
= 150
C
(2) T
AMB
= 25
C
(3) T
AMB
=
55 C
I
C
/I
B
= 10
(1) T
AMB
=
55 C
(2) T
AMB
= 25
C
(3) T
AMB
= 150
C
图11. C组：集电极 - 发射极饱和电压
作为集电极电流的函数;典型
值
图12. C组：基射极饱和电压为
集电极电流的函数;典型值
BC847_SER
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启8 - 二〇一二年八月二十〇日
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