恩智浦半导体
BC847系列
45 V ， 100毫安NPN通用晶体管
7.特点
表8 。
特征
T
AMB
= 25
C除非另有规定ED 。
符号
I
CBO
参数
集电极 - 基极截止
当前
发射极 - 基极截止
当前
直流电流增益
h
FE
A组
h
FE
B组
h
FE
C组
直流电流增益
h
FE
A组
h
FE
B组
h
FE
C组
V
CESAT
V
BESAT
V
BE
f
T
C
c
C
e
NF
集电极 - 发射极
饱和电压
基射
饱和电压
基射极电压
跃迁频率
集电极电容
发射极电容
噪声系数
I
C
= 10毫安;我
B
- 0.5毫安
I
C
= 100毫安;我
B
= 5毫安
I
C
= 10毫安;我
B
- 0.5毫安
I
C
= 100毫安;我
B
= 5毫安
I
C
= 2毫安; V
CE
= 5 V
I
C
= 10毫安; V
CE
= 5 V
V
CE
= 5 V ;我
C
= 10毫安;
F = 100 MHz的
V
CB
= 10 V ;我
E
= i
e
= 0 A;
F = 1 MHz的
V
EB
= 0.5 V ;我
C
= i
c
= 0 A;
F = 1 MHz的
I
C
= 200
A;
V
CE
= 5 V;
R
S
= 2 k ; F = 1千赫
B = 200赫兹
[1]
[2]
[2]
[2]
条件
V
CB
= 30 V ;我
E
= 0 A
V
CB
= 30 V ;我
E
= 0 A;
T
j
= 150
C
V
EB
= 5 V ;我
C
= 0 A
V
CE
= 5 V ;我
C
= 10
A
民
-
-
-
典型值
-
-
-
最大
15
5
100
单位
nA
A
nA
I
EBO
h
FE
-
-
-
V
CE
= 5 V ;我
C
= 2毫安
110
110
200
420
-
-
-
-
580
-
100
-
-
-
90
150
270
-
180
290
520
90
200
700
900
660
-
-
-
11
2
-
-
-
800
220
450
800
200
400
-
-
700
770
-
1.5
-
10
mV
mV
mV
mV
mV
mV
兆赫
pF
pF
dB
[1]
[2]
脉冲测试：吨
p
300
s;
= 0.02.
V
BE
大约降低2毫伏/ K随温度的升高。
BC847_SER
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产品数据表
启8 - 二〇一二年八月二十〇日
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