LM10
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SNOSBH4D - 1998年5月 - 修订2013年3月
工作额定值
封装热阻
θ
JA
NEV套餐
P包
不良资产包
θ
JC
NEV套餐
45°C/W
150°C/W
87°C/W
90°C/W
电气特性
T
J
=25°C,
T
民
≤T
J
≤T
最大
（粗体字指的是限制整个温度范围内）
(1)
参数
输入失调电压
输入失调电流
(2)
输入偏置电流
输入阻抗
大信号电压
收益
V
S
= ± 20V ，我
OUT
=0
V
OUT
=±19.95V
V
S
=±20V, V
OUT
=±19.4V
I
OUT
= ±20 mA内
（约15 mA）的
V
S
=±0.6V
(0.65V),
I
OUT
= -2毫安
V
OUT
=±0.4V
(±0.3V), V
CM
=0.4V
分流增益
(3)
1.2V
(1.3V)
≤V
OUT
≤40V,
R
L
=1.1 kΩ
0.1 mA≤I
OUT
≤5
mA
1.5V≤V
≤40V,
R
L
=250Ω
0.1 mA≤I
OUT
≤20
mA
共模
拒绝
电源电压
拒绝
20V≤V
CM
≤19.15V
(19V)
V
S
=±20V
0.2V≥V
≥39V
V =1.0V
(1.1V)
1.0V
(1.1V)
≤V
+
≤39.8V
V =0.2V
失调电压漂移
失调电流漂移
偏置电流漂移
线路调整
T
C
<100°C
1.2V
(1.3V)
≤V
S
≤40V
0≤I
REF
≤1.0
毫安，V
REF
= 200 mV的
(1)
+
+
条件
民
LM10/LM10B
典型值
0.3
0.25
10
250
150
120
80
50
20
1.5
0.5
14
6
8
4
93
87
90
84
96
90
2.0
2.0
60
0.001
0.003
0.006
106
96
102
25
33
3.0
130
400
500
最大
2.0
3.0
0.7
1.5
20
30
150
115
80
50
25
15
1.0
0.75
10
6
6
4
90
87
87
84
93
90
民
LM10C
典型值
0.5
0.4
12
400
400
130
3.0
33
最大
4.0
5.0
2.0
3.0
30
40
单位
mV
mV
nA
nA
nA
nA
kΩ
kΩ
V / MV
V / MV
V / MV
V / MV
V / MV
V / MV
V / MV
V / MV
25
102
96
106
5.0
5.0
90
0.001
0.008
0.01
V / MV
V / MV
dB
dB
dB
dB
dB
dB
μV/°C
PA / ℃，
PA / ℃，
%/V
%/V
(2)
(3)
这些规范适用于V
≤V
CM
≤V
+
0.85V
(1.0V),
1.2V
(1.3V)
＆ LT ; V
S
≤V
最大
, V
REF
= 0.2V和0≤I
REF
≤1.0
毫安，除非另有
规定： V
最大
= 40V为在低电压部分的标准部件和6.5V 。普通字体显示25℃范围。
黑体字
表示限制和改变的测试条件为全温度范围内操作;
这是
55°C
至125℃的LM10 ，
25°C
to
85℃的LM10B （L）和0℃至70℃的LM10C （L）。该规格不包括热梯度的影响（ τ
1
20
女士） ，
模具加热（ τ
2
0.2s)
或包装加热。梯度的影响是小的，而且往往抵消电气错误（见曲线） 。
对于T
J
>90 ° C，I
OS
可能会超过1.5 nA的为V
CM
=V
。以T
J
= 125℃， V
≤V
CM
≤V
+ 0.1V ，我
OS
≤5
呐。
这个定义的浮动应用的操作，如自举调节器或两线制变送器。输出端被连接至V
+
IC和输入共模的终端被称为V
（见
典型应用） 。
较大的输出电压摆幅具有较高的影响
负载电阻可通过将正电源抑制误差来解释。
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