LM10
SNOSBH4D - 1998年5月 - 修订2013年3月
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图3. PDIP封装（ P）
见包装数P（ R- PDIP - T8 ）
图4中。
这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中，以防止对静电损坏MOS大门。
绝对最大额定值
(1) (2) (3)
LM10/LM10B/
LM10C
总电源电压
差分输入电压
(4)
功耗
(5)
LM10BL/
LM10CL
7V
±7V
45V
±40V
内部限制
连续
55°C
至+ 150°C
300°C
260°C
215°C
220°C
输出短路持续时间
(6)
存储温度。范围
铅温度。 （焊接， 10秒）
TO
铅温度。 （焊接， 10秒） DIP
气相（60秒）
红外（15秒）
ESD额定值是待定。
最高结温
LM10
LM10B
LM10C
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
(6)
150°C
100°C
85°C
请参阅RETS10X的LM10H军用规格。
最大极限值是指超出这可能会损坏设备的限制。工作额定值表明条件
该设备是功能，但不保证特定的性能极限。
如果是用于军事/航空专用设备，请联系TI销售办事处/经销商咨询具体可用性和规格。
输入电压可超过供电电压提供从输入到任何其它终端上的电压不超过
最大差分输入电压和过量耗散占当V
IN
＆ LT ; V
.
最大，操作结温度为150℃的LM10 ， 100℃下的LM10B （L）和85℃的LM10C （L）。在高温
温度，设备必须基于封装的热电阻降额。
内部热限制可以防止过度加热可能导致突发故障，但该IC可进行加速应力
有输出短路和最坏情况的条件。
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LM10
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