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VS- 25TTS ... SPbF系列
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威世半导体
热和机械规格
参数
最高结和storage
温度范围
焊接温度
最大热电阻，
结到外壳
典型热阻，
结到环境（印刷电路板安装）
大约重量
打标设备
案例D型
2
PAK （ SMD -220 ）
符号
T
J
, T
英镑
T
S
R
thJC
R
thJA （1）
10秒（从案例1.6毫米）
直流操作
测试条件
值
- 40 125
260
1.1
° C / W
40
2
0.07
25TTS08S
25TTS12S
g
盎司
单位
°C
记
(1)
当安装在1"平方（ 650毫米
2
）印刷电路板的FR-4或G- 10材料4盎司（140 μm]的铜40℃/ W
对于推荐的足迹和焊接技术是指应用笔记＃ AN- 994
最大允许案例牛逼
empera TURE （ ° C）
最大Averag e在状态功耗（ W）
130
R
thJC
（ DC ） = 1.1 ° C / W
120
25
180°
120°
90°
60°
30°
RMSLimit
20
Conduc化角度
15
110
30°
100
60°
90°
120°
180°
90
0
5
10
15
20
平均在-STA TE电流（A ）
10
Conduc化角度
5
T
J
= 125°C
0
0
4
8
12
16
20
AVERA GE通态电流（A ）
图。 1 - 额定电流特性
图。 3 - 通态功耗特性
最大允许案例牛逼
emperature （ ° C）
最大Averag e在状态功耗（ W）
130
R
thJC
（ DC ） = 1.1 ° C / W
120
35
30
25
20
RMS限制
15
10
5
0
0
5
10
15
20
25
30
AVERA GE在-STA TE电流（A ）
导通时间
110
DC
180°
120°
90°
60°
30°
导通时间
100
90
30°
80
0
5
90°
60° 120°
180°
10
15
20
DC
25
30
T
J
= 125°C
平均在-STA TE电流（A ）
图。 2 - 额定电流特性
图。 4 - 通态功耗特性
修订： 05 -JUL- 13
文档编号： 94383
3
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