VS- 25TTS ... SPbF系列
www.vishay.com
威世半导体
晶闸管，表面贴装，相位控制可控硅， 16 A
特点
阳极
2
符合MSL 1级，每
260℃ LF最大峰值
设计
和
JEDEC-JESD47
合格
J-STD-020,
根据
D
2
PAK
1
3
阴极门
材料分类：
对于合规的定义，请参见
www.vishay.com/doc?99912
应用
产品概述
包
二极管的变化
I
T（ AV ）
V
DRM
/V
RRM
V
TM
I
GT
T
J
TO- 263AB （D
2
PAK ）
单可控硅
16 A
800 V, 1200 V
1.25 V
45毫安
- 40 125°C
输入整流（软启动）
Vishay的输入二极管，开关和输出整流器哪些
在相同的封装外形可用
描述
在VS- 25TTS ... SPbF高压系列硅
整流器是专门为介质而设计
电源开关和相位控制的应用程序。玻璃
采用钝化技术具有运行可靠高达
125 ° C的结temperature.
输出电流在典型应用
应用
NEMA FR- 4或G10玻璃纤维织物为基础epoxy
与4盎司（ 140微米）铜
铝IMS ，R
THCA
= 15 ° C / W
铝IMS与散热器，R
THCA
= 5℃ / W的
记
T
A
= 55 ° C，T
J
= 125°C ，足迹300毫米
2
单相桥
3.5
8.5
16.5
三相桥
5.5
13.5
25.0
A
单位
主要额定值及特点
参数
I
T（ AV ）
I
RMS
V
RRM
/V
DRM
I
TSM
V
T
dv / dt的
的di / dt
T
J
16 A，T
J
= 25 °C
测试条件
正弦波形
值
16
25
800至1200
350
1.25
500
150
- 40 125
单位
A
V
A
V
V / μs的
A / μs的
°C
电压额定值
产品型号
VS-25TTS08SPbF
VS-25TTS12SPbF
V
RRM
，最大峰值
反向电压
V
800
1200
V
DRM
，最大峰值
直流电压的
V
800
1200
I
RRM
/I
DRM
,
在125℃下
mA
10
修订： 05 -JUL- 13
文档编号： 94383
1
您所在区域内的技术问题：
DiodesAmericas@vishay.com ， DiodesAsia@vishay.com ， DiodesEurope@vishay.com
本文如有更改，恕不另行通知。描述的产品说明书和本文档
受到特定的免责声明，阐明的AT
www.vishay.com/doc?91000
VS- 25TTS ... SPbF系列
www.vishay.com
威世半导体
绝对最大额定值
参数
最大平均通态电流
最大RMS通态电流
最大峰值，单周期，
非重复浪涌电流
我最大
2
吨融合
我最大
2
t
对于融合
最大通态压降
通态斜率电阻
阈值电压
最大反向和直接漏电流
符号
I
T（ AV ）
I
RMS
I
TSM
I
2
t
I
2
t
V
TM
r
t
V
T（ TO ）
I
RM
/I
DM
10毫秒正弦脉冲，额定V
RRM
应用的
10毫秒正弦脉冲，无电压重新申请
10毫秒正弦脉冲，额定V
RRM
应用的
10毫秒正弦脉冲，无电压重新申请
吨= 0.1毫秒至10毫秒，没有再通电的
16 A，T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
VS-25TTS08,
VS-25TTS12
V
R
=额定V
RRM
/V
DRM
阳极电源= 6 V ，
阻性负载，最初我
T
= 1 A,
T
J
= 25 °C
测试条件
T
C
= 93℃ ，180°导通半正弦波
值
典型值。
16
25
300
350
450
630
6300
1.25
12.0
1.0
0.5
10
-
200
500
150
V / μs的
A / μs的
150
mA
A
2
s
A
2
s
V
m
V
A
马克斯。
单位
保持电流
最大电流闭锁
断态电压上升率最高
上升的最大速率导通电流
I
H
I
L
dv / dt的
的di / dt
阳极电源= 6 V ，阻性负载，T
J
= 25 °C
T
J
= T
J
最大值，线形到80 ％以下，V
DRM
= R
g
- K =打开
触发
参数
最大峰值功率门
最大平均功耗门
最大峰值正栅极电流
最大峰值负栅极电压
符号
P
GM
P
G（ AV ）
+ I
GM
- V
GM
阳极电源= 6 V ，阻性负载，T
J
= - 10 °C
所需的最大直流栅极电流触发
I
GT
阳极电源= 6 V ，阻性负载，T
J
= 25 °C
阳极电源= 6 V ，阻性负载，T
J
= 125 °C
阳极电源= 6 V ，阻性负载，T
J
= - 10 °C
最大所需的直流栅极电压来触发
V
GT
V
GD
I
GD
阳极电源= 6 V ，阻性负载，T
J
= 25 °C
阳极电源= 6 V ，阻性负载，T
J
= 125 °C
最大直流栅极电压不触发
最大直流栅极电流不触发
T
J
= 125°C ，V
DRM
=额定值
测试条件
值
8.0
2.0
1.5
10
60
45
20
2.5
2.0
1.0
0.25
2.0
mA
V
mA
单位
W
A
V
开关
参数
典型导通时间
典型的反向恢复时间
典型关断时间
符号
t
gt
t
rr
t
q
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
测试条件
值
0.9
4
110
μs
单位
修订： 05 -JUL- 13
文档编号： 94383
2
您所在区域内的技术问题：
DiodesAmericas@vishay.com ， DiodesAsia@vishay.com ， DiodesEurope@vishay.com
本文如有更改，恕不另行通知。描述的产品说明书和本文档
受到特定的免责声明，阐明的AT
www.vishay.com/doc?91000
VS- 25TTS ... SPbF系列
www.vishay.com
威世半导体
热和机械规格
参数
最高结和storage
温度范围
焊接温度
最大热电阻，
结到外壳
典型热阻，
结到环境（印刷电路板安装）
大约重量
打标设备
案例D型
2
PAK （ SMD -220 ）
符号
T
J
, T
英镑
T
S
R
thJC
R
thJA （1）
10秒（从案例1.6毫米）
直流操作
测试条件
值
- 40 125
260
1.1
° C / W
40
2
0.07
25TTS08S
25TTS12S
g
盎司
单位
°C
记
(1)
当安装在1"平方（ 650毫米
2
）印刷电路板的FR-4或G- 10材料4盎司（140 μm]的铜40℃/ W
对于推荐的足迹和焊接技术是指应用笔记＃ AN- 994
最大允许案例牛逼
empera TURE （ ° C）
最大Averag e在状态功耗（ W）
130
R
thJC
（ DC ） = 1.1 ° C / W
120
25
180°
120°
90°
60°
30°
RMSLimit
20
Conduc化角度
15
110
30°
100
60°
90°
120°
180°
90
0
5
10
15
20
平均在-STA TE电流（A ）
10
Conduc化角度
5
T
J
= 125°C
0
0
4
8
12
16
20
AVERA GE通态电流（A ）
图。 1 - 额定电流特性
图。 3 - 通态功耗特性
最大允许案例牛逼
emperature （ ° C）
最大Averag e在状态功耗（ W）
130
R
thJC
（ DC ） = 1.1 ° C / W
120
35
30
25
20
RMS限制
15
10
5
0
0
5
10
15
20
25
30
AVERA GE在-STA TE电流（A ）
导通时间
110
DC
180°
120°
90°
60°
30°
导通时间
100
90
30°
80
0
5
90°
60° 120°
180°
10
15
20
DC
25
30
T
J
= 125°C
平均在-STA TE电流（A ）
图。 2 - 额定电流特性
图。 4 - 通态功耗特性
修订： 05 -JUL- 13
文档编号： 94383
3
您所在区域内的技术问题：
DiodesAmericas@vishay.com ， DiodesAsia@vishay.com ， DiodesEurope@vishay.com
本文如有更改，恕不另行通知。描述的产品说明书和本文档
受到特定的免责声明，阐明的AT
www.vishay.com/doc?91000
VS- 25TTS ... SPbF系列
www.vishay.com
威世半导体
400
INE
豌豆半纵横波在- STA TE电流（A ）
INE
半峰佤族已经通态电流（A ）
350
300
在任何
ated载荷条件和
为V
RRM
适用于按S
督促。
初始T = 125°C
J
@ 60 Hz的0.0083 s
@ 50 Hz的0.0100 s
350
300
250
200
150
最大非重复性S
督促电流
与脉冲牛逼
雨持续时间。控制
的电导率UC化马不麻INTA独立非执行董事。
初始L T = 125°C
J
无电压雷亚第说谎
为V
RRM
Reapp说谎
250
200
150
1
10
100
同等幅度一半天幕乐当前普尔斯数（N ）
es
100
0.01
0.1
脉冲吨
雨持续时间（多个）
1
图。 5 - 最大不重复浪涌电流
图。 6 - 最大不重复浪涌电流
1000
瞬时通态电流（A ）
100
T
J
= 25°C
10
T
J
= 125°C
1
0
1
2
3
4
5
瞬时通态电压（V ）
图。 7 - 通态压降特性
T
ransient牛逼
有源冰箱Imped ANC é thJC （ ° C / W）
10
S
teady S
泰特值
（ DC歌剧化）
1
D = 0.50
D = 0.33
D = 0.25
D = 0.17
D = 0.08
S
英格尔脉冲
0.1
0.01
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
S
单方波脉冲持续时间（ S）
图。 8 - 门特点
修订： 05 -JUL- 13
文档编号： 94383
4
您所在区域内的技术问题：
DiodesAmericas@vishay.com ， DiodesAsia@vishay.com ， DiodesEurope@vishay.com
本文如有更改，恕不另行通知。描述的产品说明书和本文档
受到特定的免责声明，阐明的AT
www.vishay.com/doc?91000
VS- 25TTS ... SPbF系列
www.vishay.com
威世半导体
(1)
(2)
(3)
(4)
(a )
(b)
T = -10℃
J
100
瞬时栅极电压（V ）
tangular门脉冲
ec
为一个）R ommended负载线
ec
额定的di / dt ： 10 V ， 20欧姆
TR = 0.5微秒TP > = 6微秒
,
B）建议ommended负载线
< = 30 ％额定D I / DT ： 10 V ， 65欧姆
10
TR = 1微秒TP > = 6微秒
,
PGM = 40 W， TP = 1毫秒
PGM = 20 W， TP = 2毫秒
PGM = 8 W ， TP = 5毫秒
PGM = 4 W ， TP = 10毫秒
吨= 25°C
J
J
T = 125°C
1
(4)
(3)
(2)
(1)
VGD
IGD
0.1
0.001
0.01
频率PG有限公司（ AV）
0.1
1
10
100
瞬时栅极电流（A ）
图。 9 - 热抗Z
thJC
特征
订购信息表
器件代码
VS-
1
1
2
3
4
5
6
7
8
25
2
-
-
-
-
-
-
-
-
T
3
T
4
S
5
12
6
S
7
TRL的PbF
8
9
威世半导体产品
额定电流（ 25 = 25 A）
电路配置：
T =单晶闸管
包装：
T = TO- 220AC
硅类型：
S =标准恢复整流器
额定电压：电压代码×100 = V
RRM
S = TO-220
2
朴（ SMD - 220 ）版本
无=管
TRL =带和卷轴（左为导向）
TRR =带和卷轴（右导向）
PBF =铅（Pb ） - 免费
08 = 800 V
12 = 1200 V
9
-
订购信息
（例）
首选的P / N
VS-25TTS08SPbF
VS-25TTS08STRRPbF
VS-25TTS08STRLPbF
VS-25TTS12SPbF
VS-25TTS12STRRPbF
VS-25TTS12STRLPbF
QUANTITY PER T / R
50
800
800
50
800
800
最小起订量
1000
800
800
1000
800
800
包装说明
防静电塑料管
直径13"卷轴
直径13"卷轴
防静电塑料管
直径13"卷轴
直径13"卷轴
链接到相关的文档
尺寸
最热资讯
包装信息
修订： 05 -JUL- 13
www.vishay.com/doc?95046
www.vishay.com/doc?95054
www.vishay.com/doc?95032
文档编号： 94383
5
您所在区域内的技术问题：
DiodesAmericas@vishay.com ， DiodesAsia@vishay.com ， DiodesEurope@vishay.com
本文如有更改，恕不另行通知。描述的产品说明书和本文档
受到特定的免责声明，阐明的AT
www.vishay.com/doc?91000
QQ：2881677436 复制
