数据保持方式
V
DD
50%
t
EFR
V
DR
＆ GT ;
4.5V
50%
t
R
E
图7.低V
DD
数据保存波形（ 100ns内）
数据保持特性（前/后照射）
(T
C
= 25 ° C， 1秒的数据保持力试验）
符号
V
DR
I
DDR 1
t
EFR 1,2
t
R1 ,2
参数
V
DD
数据保留
数据保持电流
芯片取消到数据保留时间
手术恢复时间
最低
4.5
--
0
t
AVAV
最大
--
.4
单位
V
mA
ns
ns
注意事项：
1， E = V
SS
，所有其它输入= V
DR
或V
SS
.
2.不保证或测试。
数据保持特性（前/后照射）
(T
C
= 25°C ，10秒数据保持力试验）
°
符号
V
DD 1
t
EFR2 ， 3
t
R2, 3
参数
V
DD
数据保留
片选到数据保存时间
手术恢复时间
最低
4.5
0
t
AVAV
最大
5.5
单位
V
ns
ns
注意事项：
1.演出在V
DD
（MIN）和V
DD
（最大值）。
2， E = V
SS
，所有其它输入= V
DR
或V
SS
.
3.不保证或测试。
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