t
AVAV
3
A(18:0)
t
AVET
t
ETEF
t
EFAX
E
or
t
AVET
E
t
ETEF
t
WLEF
应用数据
t
EFAX
W
D(7:0)
t
WLQZ
Q(7:0)
t
DVEF
t
EFDX
假设&备注：
1.摹< V
IL
（最大值）。若G > V
IH
（分）则Q （7 ：0）将在三态为整个循环。
2，以上任一è情况可能会发生。
3 。摹高的吨
AVAV
周期。
图5b 。 SRAM写周期2 ：芯片使能 - 受控访问
CMOS
V
DD
-0.05V
300欧姆
10%
V
负载
= 1.75V
0.5V
＆ LT ;为5ns
50pF
输入脉冲
＆ LT ;为5ns
10%
90%
90%
注意事项：
1. 50pF的范围包括探头和测试socke吨电容。
2.测量数据输出发生在从低到高或高到低的过渡中点
（即， CMOS输入= V
DD
/2).
图6. AC测试负载和输入波形
10
