TSM9926D
20V双N沟道增强型MOSFET
引脚分配：
1门1
2.漏
3.门2
4.源2
5.排水
6.源1
V
DS
= 20V
R
DS （ ON）
， V GS @ 4.5V ， IDS @ 6A = 30mΩ到
R
DS （ ON）
， V GS @ 2.5V ， IDS @ 5.2A = 40MΩ
特点
先进的加工技术
对于超低导通电阻高密度电池设计
优异的热性能和电气性能
表面贴装
快速开关
框图
订购信息
产品型号
TSM9926DCX6
填料
磁带&卷轴
包
SOT-26
绝对最大额定值
（ TA = 25
o
C
除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流， V
GS
@4.5V.
漏电流脉冲，V
GS
@4.5V
最大功率耗散
工作结温
工作结存储温度范围
TA = 25
o
C
TA = 25
o
C（峰值）
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
P
D
T
J
T
J
, T
英镑
极限
20
±12
6
30
1.25
2
+150
- 55 + 150
单位
V
V
A
A
W
W
o
o
C
C
热性能
参数
结到环境热阻（PCB安装）
注：表面安装在FR4电路板t< = 5秒。
符号
R
θJA
极限
100
单位
o
C / W
TSM9926D
1-3
2003/12转。 B
