TSM9926D
20V双N沟道增强型MOSFET
引脚分配：
1门1
2.漏
3.门2
4.源2
5.排水
6.源1
V
DS
= 20V
R
DS （ ON）
， V GS @ 4.5V ， IDS @ 6A = 30mΩ到
R
DS （ ON）
， V GS @ 2.5V ， IDS @ 5.2A = 40MΩ
特点
先进的加工技术
对于超低导通电阻高密度电池设计
优异的热性能和电气性能
表面贴装
快速开关
框图
订购信息
产品型号
TSM9926DCX6
填料
磁带&卷轴
包
SOT-26
绝对最大额定值
（ TA = 25
o
C
除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流， V
GS
@4.5V.
漏电流脉冲，V
GS
@4.5V
最大功率耗散
工作结温
工作结存储温度范围
TA = 25
o
C
TA = 25
o
C（峰值）
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
P
D
T
J
T
J
, T
英镑
极限
20
±12
6
30
1.25
2
+150
- 55 + 150
单位
V
V
A
A
W
W
o
o
C
C
热性能
参数
结到环境热阻（PCB安装）
注：表面安装在FR4电路板t< = 5秒。
符号
R
θJA
极限
100
单位
o
C / W
TSM9926D
1-3
2003/12转。 B
电气特性（每通道）
TA = 25
o
C除非另有说明
参数
STATIC
漏源击穿电压
漏极 - 源极导通状态
阻力
漏极 - 源极导通状态
阻力
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
门体漏
正向跨导
条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 250uA
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 6A
V
GS
= 2.5V ，我
D
= 5.2A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250uA
V
DS
= 20V, V
GS
= 0V
V
GS
= ±12V, V
DS
= 0V
V
DS
= 10V ，我
D
= 6A
符号
BV
DSS
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
I
DSS
I
GSS
g
fs
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
I
S
民
20
--
--
0.6
--
--
7
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
典型值
--
21
30
--
--
--
13
7.1
1.96
2.94
4.9
2.6
15.7
14
620
124
95
--
--
最大
--
30
单位
V
m
40
--
1.0
± 100
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
1.7
1.2
A
V
pF
nS
nC
V
uA
nA
S
动态
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
源极 - 漏极二极管
马克斯。二极管的正向电流
二极管的正向电压
I
S
= 1.7A ，V
GS
= 0V
V
SD
V
DS
= 10V ，我
D
= 6A,
V
GS
= 4.5V
V
DD
= 10V ，R
L
= 10,
I
D
= 1A ，V
根
= 4.5V,
R
G
= 6
V
DS
= 10V, V
GS
= 0V,
F = 1.0MHz的
注：脉冲测试：脉冲宽度< = 300US ，占空比< = 2 ％
TSM9926D
2-3
2003/12转。 B
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