STB14NM50N ， STD14NM50N ，
STF14NM50N ， STI14NM50N ， STP14NM50N
N沟道500 V ， 0.28
Ω
典型值，12为的MDmesh II 功率MOSFET
在DPAK ， DPAK ， TO- 220FP ， IPAK和TO- 220封装
数据表
生产数据
特点
TAB
订购代码
STB14NM50N
STD14NM50N
STF14NM50N
STI14NM50N
STP14NM50N
■
■
■
V
DS
@
T
JMAX
R
DS （ ON）
最大
I
D
D
2
PAK
1
TAB
3
3
1
3
DPAK
550 V
0.32
Ω
12 A
TAB
TAB
TO-220FP
1
2
100％的雪崩测试
低输入电容和栅极电荷
低门输入电阻
I
2
PAK
3
12
TO-220
3
1
2
应用
■
图1 。
内部原理图
切换应用程序
描述
这些设备是N沟道功率MOSFET
使用的第二代开发
的MDmesh 技术。这一革命性的力量
MOSFET相关联的垂直结构的
公司的带布局，产生了世界上的一个
最低的导通电阻和栅极电荷。这是
因此，适用于最苛刻的高
效率的转换器。
表1中。
设备简介
记号
包
D
2
PAK
磁带和卷轴
DPAK
14NM50N
TO-220FP
I
2
PAK
TO-220
管
包装
订购代码
STB14NM50N
STD14NM50N
STF14NM50N
STI14NM50N
STP14NM50N
2013年2月
这是在满负荷生产一个产品信息。
文档ID 16832第6版
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