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STB14NM50N ， STD14NM50N ，

STF14NM50N ， STI14NM50N ， STP14NM50N

N沟道500 V ， 0.28

典型值，12为的MDmesh II 功率MOSFET

在DPAK ， DPAK ， TO- 220FP ， IPAK和TO- 220封装

数据表

生产数据

特点

TAB

订购代码

STB14NM50N

STD14NM50N

STF14NM50N

STI14NM50N

STP14NM50N

■

JMAX

DS （ ON）

最大

PAK

TAB

DPAK

550 V

0.32

12 A

TAB

TO-220FP

100％的雪崩测试

低输入电容和栅极电荷

低门输入电阻

PAK

TO-220

应用

■

图1 。

内部原理图

切换应用程序

描述

这些设备是N沟道功率MOSFET

使用的第二代开发

的MDmesh 技术。这一革命性的力量

MOSFET相关联的垂直结构的

公司的带布局，产生了世界上的一个

最低的导通电阻和栅极电荷。这是

因此，适用于最苛刻的高

效率的转换器。

表1中。

设备简介

记号

包

PAK

磁带和卷轴

DPAK

14NM50N

TO-220FP

PAK

TO-220

管

包装

订购代码

STB14NM50N

STD14NM50N

STF14NM50N

STI14NM50N

STP14NM50N

2013年2月

这是在满负荷生产一个产品信息。

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STB14NM50N ， STD14NM50N ， STF14NM50N ， STI14NM50N ， STP14NM50N

电气额定值。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 3

电特性。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。五

2.1

电特性（曲线）

............................ 7

测试电路

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10

包装机械的数据。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 11

包装机械数据。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 23

修订历史。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 26

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STB14NM50N ， STD14NM50N ， STF14NM50N ， STI14NM50N ， STP14NM50N

电气额定值

表2中。

绝对最大额定值

价值

符号

参数

PAK ， DPAK

PAK ， TO- 220

DM （2）

合计

dv / dt的

(3)

ISO

英镑

漏源电压

栅源电压

漏电流（连续）在T

= 25 °C

漏电流（连续）在T

= 100 °C

漏电流（脉冲）

总功耗在T

= 25 °C

峰值二极管恢复电压斜率

绝缘从所有的耐压（ RMS）

3导到外部的散热器

（T = 1秒;吨

= 25 °C)

储存温度

马克斯。工作结温

- 55 150

150

2500

500

± 25

(1)

单位

TO-220FP

V / ns的

°C

1.通过限制最高结温

2.脉冲宽度有限的安全工作区

3. I

≤

12 A， di / dt的

≤

400 A / S ，V

PEAK

≤

（ BR ） DSS

, V

= 80% V

（ BR ） DSS

表3中。

符号

热数据

价值

参数

DPAK DPAK TO- 220FP IPAK TO- 220

热阻结案件

最大

热电阻junction-

环境最大

热阻结到PCB

最大

单位

THJ情况

THJ - AMB

thj-pcb(1)

1.39

62.5

1.39

° C / W

1.当安装在1inch FR-4板， 2盎司铜

表4 。

符号

雪崩数据

参数

雪崩电流，重复或不重复

（脉冲宽度限制T

MAX ）

单脉冲雪崩能量

（起始物为

= 25 ° C，I

= I

, V

= 50 V)

价值

172

单位

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电气特性

STB14NM50N ， STD14NM50N ， STF14NM50N ， STI14NM50N ， STP14NM50N

电气特性

= 25 ° C除非另有说明）

表5 。

符号

（ BR ） DSS

DSS

GSS

GS （ TH）

DS （ ON）

开/关状态

参数

漏源

击穿电压

测试条件

= 1毫安， V

= 0

分钟。

500

100

± 100

0.28

0.32

典型值。

马克斯。

单位

零栅极电压

= 620 V

漏电流（V

= 0) V

= 620 V，T

=125 °C

门体漏

电流（V

= 0)

= ± 25 V

栅极阈值电压V

= V

, I

= 100 A

静态漏源

导通电阻

= 10 V，I

= 6 A

表6 。

符号

国际空间站

OSS

RSS

OSS EQ 。（1）

动态

参数

输入电容

输出电容

反向传输

电容

等效输出

电容

内在门

阻力

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

测试条件

分钟。

典型值。

816

307.5

4.5

4.6

马克斯。

单位

= 50 V ， F = 1MHz时，

= 0

= 0至50V ，V

= 0

F = 1 MHz的漏极开路

= 400 V，I

=12 A,

= 10 V （见

图18）

1. C

OSS EQ 。

被定义为一个常数等效电容给予相同的充电时间为C

OSS

当V

增加了从0到80 ％的V

表7中。

符号

D（上）

D（关闭）

开关时间

参数

导通延迟时间

上升时间

关断延迟时间

下降时间

测试条件

= 400 V，I

= 12 A,

=4.7

Ω,

= 10 V

（见

图19）

分钟。

典型值。

10.2

马克斯。

单位

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电气特性

表8 。

符号

SDM

(1)

源漏二极管

参数

源极 - 漏极电流

源极 - 漏极电流（脉冲）

正向电压上

反向恢复时间

反向恢复电荷

反向恢复电流

反向恢复时间

反向恢复电荷

反向恢复电流

= 12 A，V

= 0

= 12 A， di / dt的= 100 V / ns的，

= 400 V

（见

图22）

= 12 A， di / dt的= 100 V / ns的，

= 400 V ，T

= 150 °C

（见

图22）

测试条件

分钟。

252

2.8

300

3.3

22.2

典型值。

MAX 。 UNIT

1.6

的SD （2）

RRM

1.脉冲宽度有限的安全工作区

2.脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比1.5 ％

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