SEMIWELL
半导体
SFF2N60
N沟道MOSFET
特点
◆
◆
◆
◆
R
DS （ ON）
最大5.0ohm在V
GS
= 10V
栅极电荷（典型9.0nC ）
提高dv / dt能力，快速开关
100％的雪崩测试
概述
该MOSFET采用先进的平面带生产
DMOS
技术。
这
最新
技术
有
一直
尤其是旨在最大限度地减少通态电阻有
高雪崩坚固耐用的特点。这些设备都很好
适用于高效率开关模式电源主动
功率因数校正。基于半桥电子灯
拓扑
绝对最大额定值（T
J
= 25℃
除非另有规定编）
符号
V
DSS
I
D
漏源电压
漏电流
T
C
=25℃
参数
评级
600
2
单位
V
A
T
C
=100℃
V
GSS
I
DM
E
AS
E
AR
dv / dt的
P
D
T
j
, T
英镑
栅源电压
漏电流
脉冲
（注1 ）
（注2 ）
（注1 ）
（注3）
1.35
±
30
8
130
5.55
4.5
23.6
-45 ~ 150
V
A
mJ
mJ
V / ns的
W
℃
单脉冲雪崩能量
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
功率耗散T
C
=25℃
操作和存储温度范围
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