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第3章电气特性
3.13
EMC性能
电磁兼容性（EMC）的性能高度依赖于在该微控制器所在的环境。板
设计和布局，电路拓扑选择，定位和外部元件的特性以及MCU软件
操作，都在EMC性能显著的作用。系统设计人员应征询飞思卡尔应用笔记等
作为AN2321 ， AN1050 ， AN1263 ， AN2764 ，和AN1259的建议和指导，以优化的EMC专门针对
性能。
3.13.1
辐射发射
微控制器的射频辐射排放量从150 kHz至1 GHz的测量采用按照该TEM / GTEM室法
与IEC 61967-2和SAE J1752 / 3标准。测量是用安装在一个微控制器执行
定制EMC评估电路板在运行专门的EMC测试软件。从微控制器的电磁辐射
在两个包的方向（北部和东部）测量的TEM细胞。
的测试结构在所有方向的最大辐射的射频辐射小于或等于所述报
排放水平。
表3-15 。电磁辐射，电场
参数
符号
V
RE_TEM
条件
V
DD
= 5 V
T
A
= +25
o
C
套餐类型
16-TSSOP
频率
0.15 - 50兆赫
50 - 150兆赫
150 - 500兆赫
500 - 1000兆赫
IEC水平
SAE等级
1
f
OSC
/f
公共汽车
4 MHz晶体
8 MHz的总线
水平
1
（最大）
–7
–11
–11
–10
N
1
单位
dBμV的
电磁辐射，
电场
—
—
基于对外贸易资质科幻阳离子的测试结果数据。
MC9S08SC4 MCU系列数据手册，第4
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飞思卡尔半导体公司
