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第3章电气特性
t
CYC
ipg_clk
t
文本
外
时钟
t
TCLKH
t
TCLKL
t
ICPW
输入
CAPTURE
3.12
FLASH特定网络阳离子
本节提供有关细节的编程/擦除时间和程序擦除耐力的FLASH存储器。
编程和擦除操作不需要比普通V以外的任何特殊电源
DD
供应量。如需更详细
有关程序的信息/擦除操作，请参阅内存部分。
表3-14 。 FLASH特性
NUM
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
1
2
3
4
C
—
—
—
—
—
—
—
—
C
C
特征
电源电压编程/擦除
电源电压为读操作
内部FCLK频率
1
内部FCLK周期（1 /女
FCLK
)
字节编程时间（任意位置）
2
字节编程时间（突发模式）
2
页擦除时间
2
整体擦除时间
2
编程/擦除次数
3
T
L
给T
H
= -40 ° C至+ 125°C
中T = 25℃
数据保留
4
符号
V
程序/擦除
V
读
f
FCLK
t
fcyc
t
PROG
t
BURST
t
页面
t
块
n
FLPE
t
D_ret
民
4.5
4.5
150
5
典型
—
—
—
—
9
4
4000
20,000
最大
5.5
5.5
200
6.67
单位
V
V
千赫
μs
t
fcyc
t
fcyc
t
fcyc
t
fcyc
10,000
—
15
—
100,000
100
—
—
—
周期
岁月
该时钟的频率是通过软件设置来控制。
这些值是硬件的状态机来控制。用户代码并不需要计算周期。为提供此信息
计算进行编程和擦除大致时间。
典型耐力为FLASH是基于固有的位单元的性能。关于如何飞思卡尔附加信息
定义典型的耐力，请参见工程公告EB619 / D，典型的耐力为非易失性存储器。
典型的数据保留值是基于该技术在高温下测得的和降额的固有能力
至25℃，使用Arrhenius方程。有关Freescale定义的数据保留更多的信息，请参考
工程公告EB618 / D，典型数据保留的非易失性存储器。
MC9S08SC4 MCU系列数据手册，第4
飞思卡尔半导体公司
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