的Quick-PWM降压型控制器，带有电感
饱和保护和动态输出电压
MAX1992/MAX1993
表7.电流检测配置
法
a）输出电流检测电阻
电流检测
准确性
高
电感饱和
保护
允许
（精度最高）
不允许
（ LSAT = GND）
不允许
（ LSAT = GND）
允许
电流检测功率损耗
（效率）
R
SENSE
X我
OUT2
B）低边电流检测电阻器
高
V
OUT
2
1
V
×
R
SENSE
×
I
OUT
IN
无需额外的损失
无需额外的损失
C）低边MOSFET的导通电阻
D）等效电感的直流电阻
低
低
在一个满负荷到无负荷瞬变引起的过冲
电感储能可以计算为：
V
SOAR
≈
(
I
负荷（最大）
)
2
L
2C
OUT
V
OUT
设置电流限制
最小限流门限必须是巨大的
够时，以支持最大负载电流
电流限制在最小的公差值。谷值
电感器电流的莱伊发生在我
LOAD （MAX）
减
纹波电流的一半;因此：
I
负荷（最大）
LIR
I
LIM （VAL）
＆ GT ;
I
负荷（最大）
2
在那里我
LIM （VAL）
等于最小谷电流限制
由电流检测门限电压除以电阻
tance （R
SENSE
） 。对于50mV缺省设置，迷你
妈妈谷电流门限为40mV 。
ILIM连接到V
CC
对于默认的50mV谷电流
门限。在可调模式下，谷电流
限精确的1/ 10的电压见于
ILIM 。对于一个可调的阈值时，连接一个电阻
从分REF和模拟地（ GND ）与ILIM
连接到中心抽头。外部250mV至2V
调节范围对应于25mV至200mV的
谷电流限制阈值。当调整电流
租金的限制，使用1 ％精度的电阻和电流分配器
租金约为10μA ，以防止显著
不准确的谷电流限制能力。
电流检测方法（图10）和幅度
确定可实现的限流精度和
功率损失（表7） 。通常，较高的电流检测
电压门限提供准确，而且耗散
佩特更多的权力。
大多数应用程序都采用谷值电流检测电压
年龄（V
LIM （VAL）
）为50mV至100mV ，所以感电阻
器可由下式确定：
R
SENSE
= V
LIM （VAL）
/ I
LIM （VAL）
为了获得最佳的电流检测精度和过流保护
保护，使用1 ％精度的电流检测电阻器
所述电感器和输出之间，如图
10A 。这种结构持续监视电感器
目前，允许精确的谷电流限制和
电感饱和保护。
用于低输出电压的应用，需要较高的
效率，电流检测电阻可以连接
低边MOSFET的源极（N之间
L
）和
功率地（图10b）与CSN连接到
氮流失
L
和CSP连接到电源地。在
该结构中，额外的电流检测电阻
tance仅消耗功率在N
L
是进行
电流。电感饱和保护必须解散
禁止时使用此配置（ LSAT = GND），因为
电感电流仅被正确检测时的
低边MOSFET导通。
对于高功率应用中，不需要高
精确的电流感应或电感饱和保护
化时， MAX1992 / MAX1993可以使用低侧
MOSFET的导通电阻作为电流检测元件
(R
SENSE
= R
DS （ ON）
）通过连接到CSN的漏极
N
L
和CSP的N源
L
（图10c ） 。使用
对于R最坏情况下的最大值
DS （ ON）
从
MOSFET的数据表，并添加一些余量上升
在研发
DS （ ON）
随着温度。一个良好的一般规则是
允许0.5％的附加阻力为每个℃， temper-的
ATURE上升。电感饱和保护必须解散
禁止时使用此配置（ LSAT = GND），因为
电感器电流是否正确，只有当所感测的
低边MOSFET导通。
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