LTC3770
应用S我FOR ATIO
INTV
CC
5V
R
PG
100k
R7
47k
R8
51k
RUN
1
2
3
4
5
R6
11k
6
7
8
9
10
R
C
20k
CC2
100pF
CC1
500pF
11
R3
10k
R
ON
75k
12
13
14
RUN
V
ON
PGOOD
V
RNG
V
FB
I
TH
SGND
MARGIN1
MARGIN0
I
ON
V
REFIN
V
REFOUT
MPGM
TRACK / SS
LTC3770EG
R5
39k
BOOST
TG
SW
保护地
BG
INTV
CC
Z1
Z2
Z
VIN
V
IN
PLLIN
PLLFLTR
C
SS
0.1F
R4
82k
R1
30.1k
R2
95.3k
图12.设计实例： 2.5V / 10A的450kHz处
要设置
±25%
保证金，选择电阻R3 ， R4等
那
V
REFIN
= 0.6
±25%
0.6
or
1.18 R3
=
25% 0.6
R4
R4
≈
8R3
选择R 3为10k的，R 4为82K这种应用。
PC板布局清单
当铺设了印刷电路板遵循两个一建议
的方法。简单的PC板布局需要一个专用
cated接地层。此外，对于较高的电流，它是
推荐使用多层板，以帮助热
下沉的功率元件。
在接地层应该不会有任何痕迹和
U
FCB
Z0
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
CV
IN
0.1F
M2
Si4874
CV
CC
10F
C
OUT3
23F
x5R
x2
DB
CMDSH-3
D1
B340A
L1
1.8H
V
OUT
2.5V
10A
M1
Si4884
V
IN
5V至28V
C
IN
10F
50V
x3
W
U
U
+
CB
0.22F
+
C
OUT1-2
180F
4V
x2
+
L1 ： SUMIDA CEP125-1R8MC -H
C
OUT
： CORNELL DUBILIER ESRE181E04B
C
IN
： UNITED CHEMICON THCR60E1H106ZT
3770 F12
它应该尽可能靠近，以与电源层
的MOSFET。
将
IN
, C
OUT
器，MOSFET ， D1和电感器于一身
紧凑的面积。它可以帮助有一些组件上
电路板的底部。
通过使用即时的组件连接到
地平面包括SGND和LTC3770的保护地。
使用多个过孔较大的功率元件。
使用紧凑型平面开关节点（ SW ） ，以提高
MOSFET的冷却，以保持EMI下来。
使用的飞机为V
IN
和V
OUT
保持良好的电压
过滤和保持较低的功率损耗。
洪水与铜所有层的所有未使用的区域。洪灾
荷兰国际集团与铜会降低的温度上升
功率器件。您可以将铜区域连接
任何直流网（V
IN
, V
OUT
在GND或任何其他DC轨
您的系统） 。
3770f
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