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256MB ： X4，X8 ， X16 DDR2 SDRAM
电气规格 - 我
DD
参数
电气规格 - 我
DD
参数
I
DD
规格和条件
表8 ：一般我
DD
参数
I
DD
参数
CL （我
DD
)
t
RCD
t
RC
-3
5
15
60
7.5
10
3
45
70,000
15
75
105
127.5
195
-37E
4
15
60
7.5
10
3.75
45
70,000
15
75
105
127.5
195
通过图案在表9中定义
通过图案在表9中定义
-5E
3
15
55
7.5
10
5
40
70,000
15
75
105
127.5
195
单位
t
CK
(I
DD
)
(I
DD
） - X4 / X8 （ 1KB ）
(I
DD
） - X16 （ 2KB ）
MIN （我
DD
)
MAX （我
DD
)
(I
DD
- 256Mb的）
(I
DD
- 512Mb的）
(I
DD
- 1 GB）
(I
DD
- 2GB）
(I
DD
） - X4 / X8 （ 1KB ）
(I
DD
） - X16 （ 2KB ）
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
(I
DD
)
t
RRD
t
RRD
t
CK
(I
DD
)
t
RAS
t
RAS
t
RP
(I
DD
)
t
RFC
t
RFC
t
RFC
t
RFC
t
一汽
t
一汽
I
DD7
条件
详细的时序图所示为我
DD7
。其中，一般我
DD
在表8中的参数
与表9的模式要求有冲突，那么表9的要求采取prece-
置信。
表9 ：我
DD7
计时模式（ 4 -行交错读取操作）
速度等级
-3
-37E
-5E
注意事项：
I
DD7
计时模式
A0 DD RA0 RA1 A1 A2 DD DD RA2 RA3 A3 DDDDDD
A0 RA0 RA1 A1 A2 RA2 RA3 A3 D D D D D
A0 RA0 RA1 A1 A2 A3 RA2 RA3 D D D
时序模式4银行X4 / X8 / X16设备
1， A =活跃; RA =读取自动预充电; D =取消。
2.所有的银行都被交错的
t
RC （我
DD
）在不违反
t
RRD （我
DD
）使用BL = 4 。
3.控制和地址总线输入是在取消选择稳定。
PDF ： 09005aef8117c187
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