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256MB ： X4，X8 ， X16 DDR2 SDRAM
电气规格 - 我
DD
参数
表10： DDR2的我
DD
规格和条件（续）
注： 1-7适用于整个表
参数/条件
爆刷新电流：
t
CK -
t
CK （我
DD
） ;刷新
命令在每
t
RFC （我
DD
）区间; CKE为高电平时，
CS ＃为高电平有效命令的;其他控制
和地址总线输入的切换;数据总线IN-
看跌期权是开关
自刷新电流：
CK和CK ＃在0V ; CKE 0.2V ;
其他的控制和地址总线输入浮动;
数据总线输入浮动
经营银行交织读取电流：
所有
银行交错读取，我
OUT
= 0毫安; BL = 4， CL = CL
(I
DD
） ， AL =
t
RCD （我
DD
) - 1 x
t
CK （我
DD
);
t
CK -
t
CK （我
DD
),
t
RC =
t
RC（ I）中，
t
RRD =
t
RRD （I）
t
RCD =
t
RCD （Ⅰ） ;
DD
DD
DD
CKE为高电平， CS ＃为高电平有效命令的;
地址总线输入是稳定的过程中取消选择;数据
总线输入的切换;见我
DD7
条件
（第24页）了解详情
注意事项：
1.
2.
3.
4.
符号
I
DD5
CON组fi guration
x4, x8
x16
-3
180
180
-37E
170
170
-5E
165
165
单位
mA
I
DD6
I
DD6L
I
DD7
x4, x8, x16
5
3
5
3
240
300
5
3
230
290
mA
x4, x8
x16
250
320
mA
I
DD
规格测试后，该设备已正确初始化。 0 ° （C T）
C
+85°C.
V
DD
= 1.8V ±0.1V, V
DDQ
= 1.8V ±0.1V, V
DDL
= 1.8V ±0.1V, V
REF
= V
DDQ
/2.
I
DD
参数指定了ODT禁用。
数据总线由DQ ， DM ， DQS ， DQS ＃ ， RDQS的， RDQS ＃ ， LDQS ， LDQS ＃ ， UDQS和
UDQS ＃ 。
5.定义，因为我
DD
条件：
V
IN
V
白细胞介素（AC）的最大
V
IN
V
IH （ AC）分
输入稳定在高或低的水平
输入在V
REF
= V
DDQ
/2
输入HIGH和LOW每隔一个时钟周期的变化（每一次
2个时钟）为地址信号和控制信号
开关
输入HIGH和LOW所有其他数据传输（一次的变
每个时钟周期）对DQ信号，不包括面罩或频闪灯
6. I
DD1
, I
DD4R
和我
DD7
需要在EMR1 A12在测试过程中被激活。
7.以下我
DD
值必须降低（我
DD
限制对IT-选项或在AT- OP-增加）
化设备时，范围为0 ° CT以外的操作
C
85°C:
低
高
稳定
漂浮的
开关
当
T
C
0°C
当
T
C
85°C
I
DD2P
我
DD3P(SLOW)
必须用4 ％的降额;我
DD4R
我
DD5W
必须derat-
通过2％编;我
DD6
我
DD7
必须由7 ％降额
I
DD0
, I
DD1
, I
DD2N
, I
DD2Q
, I
DD3N
, I
DD3P(FAST)
, I
DD4R
, I
DD4W
和我
DD5W
必须derat-
通过2％编;我
DD2P
必须由20％降额;我
DD3P(SLOW)
必须通过强制降级
30％ ;我
DD6
必须由80％降额（我
DD6
将这一数额如果增加
T
C
< 85 ℃， 2X刷新仍处于启用状态选项）
PDF ： 09005aef8117c187
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