位置：首页 > IC型号导航 > 首字符M型号页 > 首字符M的型号第764页 > MT47H16M16BG-3ITB > MT47H16M16BG-3ITB PDF资料 > MT47H16M16BG-3ITB PDF资料1第121页
256MB ： X4，X8 ， X16 DDR2 SDRAM
RESET
3.最小CKE高时间
t
CKE = 3 ×
t
CK 。 CKE最小低电平时间
t
CKE = 3 ×
t
CK 。
这至少需要注册的三个时钟周期。
4.如果该命令是一个预充电（或如果该设备已在空闲状态下），则
显示掉电模式预充电断电，这是之前的时钟所需
频率变化。
RESET
CKE任何时候低
DDR2 SDRAM应用程序可能会在正常操作期间进入复位状态，随时随地。
如果一个应用程序进入复位状态， CKE是用来确保对DDR2 SDRAM DE-
重新初始化后副恢复正常运行。所有数据都将复位过程中丢失
条件;然而， DDR2 SDRAM器件将继续，如果正确操作
在本节中列出满足以下条件。
这里定义的复位条件假设所有电源电压（V
DD
, V
DDQ
, V
DDL
和
V
REF
）是稳定的，并符合所有规格的DC之前，期间和复位OP-后
累加器。 DDR2 SDRAM器件的所有其他输入球是一个RE-期间“无关”
SET除CKE的。
如果CKE在进行有效的操作异步地降到低电平（包括READ或
写入脉冲串） ，存储器控制器必须满足的定时参数
t
延迟前
关闭时钟。稳定的时钟必须存在于CK ， CK ＃投入DRAM的BE-
前CKE升至高电平，这时正常的初始化序列必须发生
（请参见初始化） 。 DDR2 SDRAM器件现已准备就绪后正常运行
初始化序列。图78 （第122页）显示了正确的顺序为RE-
SET操作。
PDF ： 09005aef8117c187
256MbDDR2.pdf - 牧师 7/11 EN
121
美光科技公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
2003美光科技公司保留所有权利。
