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256MB ： X4，X8 ， X16 DDR2 SDRAM
预充电掉电时钟频率变化
预充电掉电时钟频率变化
当DDR2 SDRAM是在预充电掉电模式， ODT必须关闭
和CKE必须处于逻辑低电平。至少有两个差分时钟周期必须
通过后， CKE变低之前的时钟频率可以改变。该器件的输入时钟
频率被允许只在最小和最大操作改变频
对于特定的速度等级规定quencies 。在输入时钟频率的变化，
ODT和CKE必须在稳定的低水平举行。当输入时钟频率是
改变，新的稳定的时钟之前必须预充加电被提供给设备
倒也可以退出，而DLL必须通过MR预充电掉电后退出复位。
这取决于新的时钟频率，额外的LM命令可能需要
调整的CL ，WR， AL，等等。这取决于新的时钟频率，一个附加
tional LM命令可能需要适当地设置WR MR9 ， MR10 ， MR11 。
在200次循环的DLL重新锁定期间， ODT必须保持关闭状态。该DLL锁定后
时，在DRAM准备一个新的时钟频率进行操作。
图77 ：输入时钟频率变化在预充电掉电模式
上一页时钟频率
T0
CK ＃
CK
总胆固醇
TCK
2个TCK （ MIN ） 1
tCKE （MIN） 3
CKE
TCL
总胆固醇TCL
TCK
1个TCK （ MIN ） 2
T1
T2
T3
Ta0
Ta1
新的时钟频率
Ta2
Ta3
Ta4
Tb0
tCKE （MIN） 3
Valid4
命令
NOP
NOP
NOP
LM
NOP
有效
地址
有效
TXP
复位DLL
有效
ODT
DQS ， DQS ＃
高-Z
DQ
高-Z
DM
进入预充电
掉电模式
频率
变化
退出预充电
掉电模式
200× TCK
表示在休息
时间尺度
不在乎
注意事项：
1，最小为2 ×
t
进入预充电掉电之前升级变更后的CK是必需
将时钟频率。
2.当新的时钟频率已经改变，并且是稳定的，至少为1×
t
CK是重
quired前退出预充电断电。
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