位置：首页 > IC型号导航 > 首字符M型号页 > 首字符M的型号第1561页 > MPC5566MVR132 > MPC5566MVR132 PDF资料 > MPC5566MVR132 PDF资料1第17页
电气特性
表9. DC电气特性（T
A
= T
L
给T
H
）（续）
规格
41
42
43
特征
V
SSSYN
到V
SS
差分电压
V
RCVSS
到V
SS
差分电压
V
DDF
到V
DD
差分电压
符号
V
SSSYN
– V
SS
V
RCVSS
– V
SS
V
DDF
– V
DD
V
RC33
– V
DDSYN
V
IDIFF
T
A
= (T
L
给T
H
)
—
民
–50
–50
–100
–0.1
–2.5
T
L
—
马克斯。
50
50
100
0.1
19
2.5
T
H
50
单位
mV
mV
mV
V
V
C
43A V
RC33
到V
DDSYN
差分电压
44
45
46
1
模拟输入差分信号范围（共模2.5 V ）
工作温度范围，环境（打包）
在电源引脚压摆率
V / ms的
V
DDE2
和V
DDE3
被限制为2.25-3.6 V仅当SIU_ECCR [ EBTS ] = 0; V
DDE2
和V
DDE3
具有一定范围的1.6-3.6伏若
SIU_ECCR [ EBTS ] = 1 。
2
| V
DDA0
– V
DDA1
|必须是< 0.1 V.
3
V
PP
可以在读取操作下降到3.0V 。
4
如果不需要待机操作中，连接V
STBY
到地面。
5
适用于CLKOUT ，外部总线引脚，和Nexus引脚。
6
最大平均RMS直流电流。
7
八路缓存启用（ L1CSR0 [ CORG ] = 0B0 ） 。
8
平均电流测量汽车的标杆。
9
峰值电流可以在专门的代码更高。
10
在运行优化SPE汇编代码的所有代码和数据测量使用高电流的100％锁定在高速缓存
（ 0 ％命中率）与eMIOS和的eTPU的所有通道自动运行，加上连续EDMA传输数据
SRAM到SRAM中。更高的电流是可能的，如果一个'空闲'循环跨越高速缓存行是从缓存中运行。编写代码来避免这种情况
条件。
11
四路高速缓存使能（ L1CSR0 [ CORG ] = 0B1 ）或（ L1CSR0 [ CORG ] = 0B0与L1CSR0 [ WAM ] = 0B1 ， L1CSR0 [ WID ] = 0b1111 ，
L1CSR0 [ WDD ] = 0b1111 ， L1CSR0 [ AWID ] = 0B1和L1CSR0 [ AWDD ] = 0B1 ） 。
12
现行规范涉及到平均待机术后SRAM已经加载了数据。对于电源电流见
第3.7节“上电/掉电排序” ，如图2所示。
13
对于V功率要求
DD33
供应依赖于操作的所有I / O引脚的频率，负载，以及在I上的电压/输出
段。请参阅
表11
对值来计算功率耗散为特定的操作。
14
为每个I / O段的功率要求是依赖的I / O引脚的操作和负载的频率上的特定I / O
段，并在I / O部分的电压。请参阅
表10
为值来计算功耗的具体操作。该
一个I / O区段的总的功率消耗是个体消耗电力为在段上的每个引脚的总和。
15
当前的绝对值，在V测
IL
和V
IH
.
16
弱上拉/下无效。测量V
DDE
= 3.6 V和V
DDEh
= 5.25 V.适用于键盘类型： pad_fc ， pad_sh和pad_mh 。
17
最大泄漏发生在最大操作温度。漏电流减小约一半为每个8
o
C
12
o
C，在50的环境温度范围
o
C至125
o
C.适用于键盘类型： pad_a和pad_ae 。
18
V
SSA
指的是V
SSA0
和V
SSA1
. | V
SSA0
– V
SSA1
|必须是< 0.1 V.
19
高达0.6 V时的功率和断电。
MPC5566单片机数据手册，第3
飞思卡尔
17
