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ADVANCE
4,8的MEG ×32
DRAM的SODIMM
EDO页模式
AC电气特性
（注： 5，6， 7，8， 9，10， 11，12， 19）， （Ⅴ
DD
= +3.3V ±0.3V)
交流特性 - EDO页模式选项
参数
READ命令保持时间（参考CAS ＃ ）
READ命令设置时间
刷新周期（ 4096次）
刷新周期“S”版本
RAS ＃预充电时间
RAS ＃到CAS ＃预充电时间
RAS ＃预充电时间退出自刷新
READ命令保持时间（参考RAS ＃ ）
RAS ＃保持时间
写命令RAS ＃交货时间
转换时间（上升或下降）
写命令保持时间
写命令保持时间（参考RAS ＃ ）
WE＃命令设置时间
我们从输出禁用延迟＃
WRITE命令的脉冲宽度
WE＃脉冲禁止在CAS ＃高
WE＃保持时间（ CBR刷新）
WE＃建立时间（ CBR刷新）
-5
符号
t
RCH
t
RCS
t
REF
t
REF
t
RP
t
RPC
t
RPS
t
RRH
t
RSH
t
RWL
t
T
t
WCH
t
WCR
t
WCS
t
WHZ
t
WP
t
WPZ
t
WRH
t
WRP
民
0
0
最大
民
0
0
-6
最大
单位
ns
ns
ms
ms
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
笔记
16
64
128
30
5
90
0
13
13
2
8
38
0
0
5
10
8
8
40
5
105
0
15
15
2
10
45
0
0
5
10
10
10
64
128
25
25
16
50
50
12
15
4 ， 8梅格×32 DRAM的SODIMM
DM89.p65 - 牧师12/98
11
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1998年，美光科技公司
