位置:首页 > IC型号导航 > 首字符M型号页 > 首字符M的型号第393页 > MT4LDT832HG-6X > MT4LDT832HG-6X PDF资料 > MT4LDT832HG-6X PDF资料1第10页

ADVANCE
4,8的MEG ×32
DRAM的SODIMM
EDO页模式
AC电气特性
(注: 5,6, 7,8, 9,10, 11,12, 19), (Ⅴ
DD
= +3.3V ±0.3V)
交流特性 - EDO页模式选项
参数
从列地址访问时间
列地址设置到CAS #预充电
列地址保持时间(参考RAS # )
列地址设置时间
行地址建立时间
从CAS #访问时间
列地址保持时间
CAS #脉冲宽度
CAS #低到时自刷新“无关”
CAS #保持时间( CBR刷新)
CAS在低Z #输出
接下来CAS #低后数据输出保持
CAS #预充电时间
从CAS#预充电时间访问
CAS #到# RAS预充电时间
CAS #保持时间
CAS #建立时间( CBR刷新)
写命令CAS #交货时间
数据保持时间
数据的建立时间
输出缓冲关断延迟
EDO -页面模式读取或写入周期时间
从RAS #访问时间
RAS #到列地址的延迟时间
行地址保持时间
RAS #脉冲宽度
RAS #脉冲宽度( EDO页模式)
在自刷新RAS #脉冲宽度
随机读或写周期时间
RAS #到CAS #延迟时间
-5
符号
t
AA
t
ACH
t
AR
t
ASC
t
ASR
t
CAC
t
CAH
t
CAS
t
CHD
t
CHR
t
CLZ
t
COH
t
CP
t
注册会计师
t
CRP
t
CSH
t
企业社会责任
t
CWL
t
DH
t
DS
t
关闭
t
PC
t
RAC
t
拉德
t
RAH
t
RAS
t
RASP
t
RASS
t
RC
t
RCD
民
12
38
0
0
13
8
8
15
8
0
3
8
5
38
5
8
8
0
0
20
9
9
50
50
100
84
11
10,000
10
10
15
10
0
3
10
5
45
5
10
10
0
0
25
12
10
60
60
100
104
14
最大
25
民
15
45
0
0
15
10,000
-6
最大
30
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
s
ns
ns
笔记
25
4
13
28
35
4
18
18
17, 23
12
50
15
60
15
10,000
125,000
10,000
125,000
25
14
4 , 8梅格×32 DRAM的SODIMM
DM89.p65 - 牧师12/98
10
美光科技公司保留更改产品或规格,恕不另行通知。
1998年,美光科技公司