LTC2270
应用信息
数字输出测试模式
以允许在电路测试的数字接口的
A / D ，有几个测试模式，迫使A / D数据
输出（作者： D15 - D0 ）为已知值：
,
全1 ：所有输出1
全部为0 ：所有的输出都为0
交替：输出从全1上更改为全0
交替样本。
棋盘：输出从改变
10101010101010101 01010101010101010到上
交替样本。
数字输出测试图案通过连续使
编程模式控制寄存器A4。当启用时，
测试模式覆盖所有其他格式模式： 2的
补充，随机函数发生器，交替位极性。
输出禁用
数字输出可以通过串行编程禁用
明模式控制寄存器A3 。所有的数字输出，包括
和CLKOUT被禁止。高阻抗禁用
状态是用于在电路测试或长时间
不活动 - 它是太慢复之间的数据总线
多个转换器在全速。时的输出是
禁用两个通道应放入休眠或
NAP模式。
睡眠和打盹模式
A / D转换可放置在睡眠或打盹模式，以节省
力。在睡眠模式下，整个设备断电，
产生0.5MW的功率消耗。的量
所需时间从睡眠模式恢复依赖于
对伏旁路电容的尺寸
REF
， REFH和REFL 。
对于图1中的建议值。 8 ， A / D转换将趋于稳定
经过2ms的。
在打盹模式下，A / D内核断电而内部
参考电路保持活跃，从而实现更快的唤醒比
从睡眠模式。从休眠模式恢复时要求
至少100个时钟周期。如果应用程序要求非常
精确的直流稳定再追加为50μs应该是
允许这样的芯片上的引用可以从沉降
引起的供给的变化略有温度变化
当前的A / D离开打盹模式。任一通道2
这两个信道可以被放置在打盹模式;这是不可能
有通道1打盹模式和通道2操作
正常。
睡眠模式和休眠模式由模式控制启用
注册A1 （串行编程模式） ，或者通过SDI和
SDO （并行编程模式） 。
器件编程模式
的LTC2270的操作模式可以被编程
无论是通过并行接口或一个简单的串行接口。
串行接口具有更大的灵活性和罐程序
所有可用的模式。并行接口较为有限
并且只能进行编程的一些更常用
模式。
并行编程模式
使用并行编程模式， PAR / SER应
连接到V
DD
。该
CS ，
SCK ， SDI和SDO引脚是二进制
逻辑输入，设定一定的操作模式。这些引脚
可以连接到V
DD
或接地，或驱动由1.8V，2.5V ，或
3.3V CMOS逻辑。当作为输入使用时，SDO应
通过一个1K串联电阻驱动。表2示出
通过模式设置
CS ，
SCK ， SDI和SDO 。
表2.并行编程模式控制位（ PAR / SER = V
DD
)
针
CS
描述
时钟占空比稳定控制位
0 =时钟占空比稳定器
1 =时钟占空比稳定器在
SCK
数字输出模式控制位
0 =全速率CMOS输出模式
1 =双倍数据速率LVDS输出模式
（ 3.5毫安LVDS电流，内部终端OFF ）
SDI / SDO掉电控制位
00 =正常运行
01 =通道1的正常运行，通道2打盹模式
10 =通道1和通道2的休眠模式
11 =睡眠模式（整个设备断电）
2270f
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