LTC2270
应用信息
LTC2270
V
DD
迪FF erential
比较
V
DD
模式， ENC
–
应保持至少200mV的地上来
避免错误触发的单端编码模式。
为了获得良好的抖动性能ENC
+
和ENC
–
应该有
快速的上升和下降时间。
单端编码模式应该具有CMOS使用
编码输入。要选择此模式， ENC
–
连接
到地面和ENC
+
驱动用方波编码
输入。 ENC
+
可以高于V采取
DD
（高达3.6V ），所以1.8V
至3.3V CMOS逻辑电平可以被使用。在ENC
+
门槛
为0.9V 。为了获得良好的抖动性能ENC
+
应该有快
上升和下降时间。
当编码信号被关断或低于近似
三方共同为500kHz的A / D转换进入休眠模式。
时钟占空比稳定器
15k
ENC
+
ENC
–
30k
2270 F10
图10.等效编码输入电路
差分编码模式
LTC2270
1.8V至3.3V
0V
ENC
+
ENC
–
30k
CMOS逻辑
卜FF器
2270
F11
图11.等效编码输入电路
用于单端编码模式
0.1μF
T1
ENC
+
50Ω
100Ω
LTC2270
对于性能良好的编码信号应具有
50％ （ ±5％）的占空比。如果可选的时钟占空比
稳压器电路被使能时，编码工作周期可以
变化从10％到90％的占空比稳定器会
保持恒定的50％的内部占空比。当编码
信号改变频率，占空比稳定器电路
需要百个时钟周期来锁定到输入
时钟。占空比稳定器是通过模式控制启用
注册A2 （串行编程模式） ，或者通过
CS
（并行
编程模式）。
对于应用的采样速率需要改变其中
很快，时钟占空比稳定器可被禁用。如果
占空比稳定器禁用，应小心
使采样时钟有50％ （ ±5％）的占空比。
占空比稳定不应使用下面2MSPS 。
数字输出
数字输出模式
0.1μF
50Ω
ENC-
2270 F12
0.1μF
T1 = MA / COM ETC1-1-13
电阻器和电容器
现在的0402封装尺寸
图12.正弦编码驱动器
0.1μF
ENC
+
PECL或
LVDS
时钟
LTC2270
0.1μF
ENC
–
2270
F13
图13. PECL或LVDS编码驱动器
该LTC2270可以在三种数字输出模式下运行：
全速率CMOS ，双倍数据速率CMOS （减半
输出线数） ，或双数据速率的LVDS （以
降低数字噪声在系统中。 ）输出模式
通过模式控制寄存器设置A3 （串行编程
模式），或者通过SCK（并行编程模式）。注意
双倍数据速率CMOS不能在平行进行选择
编程模式。
2270f
22
