LTC1735
FU CTIO AL DIAGRA
PGOOD
C
OSC
C
OSC
SGND
C
0.17A
SYNC
–
+
1.2V
FORCE BOT
降
OUT
DET
+
0.86V
–
OV
S
Q
R
本日热门
0.55V
+
–
2.4V
2k
–
+
EA
0.86V
SD
RUN
软
开始
+
OVER-
当前
闭锁
R
C
RUN / SS
C
SS
C
C
I
TH
SENSE
GM = 1.3米
SD
45k
45k
–
+
I
2
IREV
B
0.8V
FCB
FC
–
+
F
OSC
–
0.74V
LTC1735F
只
+
V
OSENSE
V
FB
0.8V
R1
R2
1.2A
4(V
FB
)
6V
边坡COMP
单操作
（参见原理图）
主控制回路
的LTC1735采用恒定频率，电流模式
降压架构。在正常操作期间，顶
MOSFET导通每个周期时，振荡器套
RS锁存和关闭时的主流
我比较
1
重置RS锁存器。峰值电感
目前在我
1
将复位RS锁存器由控制
电压引脚3（I
TH
），这是错误的输出
放大器EA 。引脚6 （V
OSENSE
）所示，在销中所述功能
系统蒸发散，可以让EA获得的输出反馈电压V
FB
从外部电阻分压器。当负载电流
增加时，它会导致在V略有下降
FB
相对于
0.8V基准，这又导致了我
TH
电压
W
V
IN
V
IN
0.8V
REF
UVL
INTV
CC
BOOST
D
B
V
美国证券交易委员会
顶部
TG
C
B
U
U
U
+
C
IN
SW
BOT
开关
逻辑
+
C
美国证券交易委员会
D
1
V
OUT
BOT
INTV
CC
V
IN
5.2V
LDO
REG
+
–
保护地
C
INTVCC
ICMP
I
1
–
+
–
+
+
3mV
–
+
C
OUT
BURST
关闭
FC
A
+
INTV
CC
缓冲
I
TH
30k
30k
4.7V
BG
+
SENSE
–
EXTV
CC
R
SENSE
1735 FD
增加，直至平均电感器电流相匹配的
新的负载电流。而高端MOSFET关断时，底部
MOSFET导通，直到电感器电流
开始逆转，由目前比较我所指示
2
或
下一个周期的开始。
高端MOSFET驱动器由一个浮动自举供电
带电容C
B
。这种电容一般充电
从INTV
CC
通过外部二极管当顶
MOSFET被关断。由于V
IN
下降到V
OUT
中，
转换器将试图接通高端MOSFET continu-
ously （ “差” '） 。压差计检测到这一条件
化，并强制高端MOSFET关闭大约为500ns
每十个循环充电的自举电容。
1735fc
9
